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Tutte le pubblicazioni di IMEC Belgium

01.07.2023
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Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

ASML partecipa significativamente alla futura linea di produzione di piloti altamente avanzata di imec

Imec e ASML firmano un Memorandum of Understanding (MoU) per promuovere la ricerca sui semiconduttori e l'innovazione sostenibile in Europa

Imec, un centro di ricerca e innovazione leader nel campo della nanoelettronica e delle tecnologie digitali, e ASML Holding N.V. (ASML), un fornitore di primo piano nell'industria dei semiconduttori, annunciano oggi di voler intensificare la loro collaborazione durante la prossima fase di sviluppo d…

Figura 1 - Resistenza termica misurata e prevista in funzione della larghezza delle lamelle di GaN-on-Si-HEMT con due lamelle. / Figure 1 - Resistenza termica misurata e prevista in funzione della larghezza delle lamelle di due GaN-on-Si HEMT a due dita.

Figura 2 - Geometria dell'InP nanoridge HBT utilizzato nella simulazione 3D.

Figura 3 - Impatto degli effetti di trasporto termico non diffuso (come rilevato dalla simulazione Monte Carlo di imec) negli HBT a nanoridge InP.

07.12.2022
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Convegno

Imec presenta strumento di simulazione per una migliore previsione del flusso di calore nei componenti RF per 5G e 6G

Questa settimana imec, centro di ricerca e innovazione leader a livello mondiale nel campo della nanoelettronica e delle tecnologie digitali, presenta all'International Electron Devices Meeting 2022 (IEEE IEDM 2022) un quadro di modellazione Monte Carlo-Boltzmann, che per la prima volta utilizza dis…

Sezioni TEM di linee Ru con passo metallico di 18 nm: (a sinistra) AR 3, (a destra) AR 6. I TEM mostrano un profilo quasi verticale delle linee di Ru e la scalabilità dello schema attuale verso AR più elevati.

17.07.2022
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Conferenza

Imec mostra una strada per dimezzare la resistenza di linea attraverso semi-damascene con processi ad alto rapporto di aspetto

Imec, un centro di ricerca e innovazione leader a livello mondiale nel campo della nanoelettronica e delle tecnologie digitali, ha presentato alla IEEE International Interconnect Technology Conference 2022 (IITC 2022) tecnologie per ridurre la resistenza dei conduttori metallici in presenza di pitch…

09.07.2022
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Automazione

Macronix Octaflash Speicher della serie UW offre soluzioni di memoria flash ad alta densità per i microcontrollori in tempo reale NXP S32Z e S32E

Macronix International Co., Ltd. (TSE: 2337) ha annunciato oggi che la famiglia di memorie Octaflash ad alta efficienza Macronix MX25UW di NXP® Semiconductor è stata scelta per i processori in tempo reale S32Z e S32E, per l'integrazione sicura di applicazioni in tempo reale. La scelta segna il pross…

EnergyVille 2 edificio di ricerca a Genk / EnergyVille 2 edificio di ricerca a Genk

Huw Hampson Jones (Solithor) e -Olivier Rousseaux (imec)

28.05.2022
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Batteria

Un approccio rivoluzionario per le batterie allo stato solido supererà i limiti dell'elettrificazione dei trasporti

Imec-Spin-off SOLiTHOR conclude una fase di raccolta fondi di 10 milioni di euro per sviluppare nuove tecnologie rivoluzionarie per le batterie a stato solido

SOLiTHOR, la neonata spin-off di imec - partner nel principale centro europeo di innovazione e R&S per l'energia, Energyville - è all'avanguardia nello sviluppo, produzione e commercializzazione di tecnologie innovative di celle batteria agli ioni di litio (Li), per offrire soluzioni affidabili ed e…

20.03.2022
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Scienza

Imec.xpand II compie un passo importante sulla strada verso uno dei fondi di early-stage più efficaci al mondo per le innovazioni nel settore dei semiconduttori

Imec.xpand, l'investitore early-stage che utilizza la conoscenza, l'expertise, l'infrastruttura e il network di imec, il centro di ricerca e innovazione leader mondiale nel campo della nanoelettronica e della tecnologia digitale, ha annunciato oggi il primo closing del suo secondo fondo con 150 mili…

Il microprocessore flessibile a 8 bit di Imec accanto a una moneta da 2 euro.

Screenshot del gioco Snake in azione e indicazioni temporali.

24.02.2022
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IT, hardware, software

Imec, KU Leuven e PragmatIC Semiconductor dimostrano il processore micro flessibile a 8 bit più veloce per applicazioni a basso consumo energetico

Questa settimana imec, un centro di ricerca e innovazione leader a livello mondiale nel campo della nanoelettronica e delle tecnologie digitali, insieme a KU Leuven e PragmatIC Semiconductor, un'azienda leader mondiale nell'elettronica flessibile, presenteranno alla International Solid-State Circuit…

Il nuovo chip trasmettitore a impulsi radio ultra-breitband di Imec consente velocità di trasmissione dati fino a 1,66 Gb/s per applicazioni in-body e a corto raggio. / Il nuovo chip trasmettitore a impulsi radio ultra-breitband di Imec supporta velocità di trasferimento dati fino a 1,66 Gb/s per applicazioni in-body e a corto raggio.

24.02.2022
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Fiera

Il contributo all'ISSCC '22 conferma che la tecnologia UWB è in grado di supportare applicazioni a basso consumo energetico e alta velocità di trasmissione - dalle smart glasses che consentono le esperienze AR/VR di domani, fino alle T wireless

Imec sviluppa un chip trasmettitore a banda ultra-larga, che consente velocità di trasmissione fino a 1,66 Gb/s con un consumo di energia nell'ordine del milliwatt

Alla International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) che si tiene questa settimana, imec - un centro di ricerca e innovazione leader mondiale nel campo della nanoelettronica e delle tecnologie digitali - presenta un nuovo chip trasmettitore a impulso radio a banda ultralarga (IR-UWB), che potr…

05.01.2022
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Corona

Studio longitudinal mostra un'alta carica virale nell'aria espirata già nelle prime fasi di un'infezione da SARS-CoV-2

Gli scienziati dell'KU Leuven, dell'UZ Leuven e dell'imec avvertono che il risultato di un test rapido antigenico nei primi due giorni dopo un'infezione è meno affidabile del previsto. Uno studio longitudinale, che ha anche eseguito per la prima volta test molecolari sugli aerosol, mostra che la car…

Sezioni trasversali del processo dei componenti ad alta tensione realizzati su substrati GaN-on-SOI da 200 mm (a) e-mode pGaN-HEMT, (b) d-mode MIS-HEMT, (c) diodo a barriera Schottky. Tutti i dispositivi includono piastre di campo metalliche basate su strati di metallo front-end e di interconnessione e separate da strati dielettrici.

12.12.2021
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Scienza

L'integrazione garantisce un notevole aumento delle prestazioni dei sistemi di potenza GaN

Imec mostra un'integrazione monolitica riuscita di diodi Schottky e HEMT in modalità di svuotamento con GaN-IC da 200 V

Questa settimana imec, il principale centro di ricerca e innovazione per la nanoelettronica e le tecnologie digitali, presenta al International Electron Devices Meeting 2021 (IEEE IEDM 2021) la co-integrazione di successo di diodi a barriera Schottky ad alte prestazioni e HEMT a modalità di svuotame…

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