Nowy rok, nowa praca? Sprawdź oferty! Więcej ...

Wszystkie publikacje od IMEC Belgium

01.07.2023
‌
Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

ASML znacząco uczestniczy w przyszłej, zaawansowanej linii produkcyjnej układów scalonych firmy imec

Imec i ASML podpisują Memorandum of Understanding (MoU) w celu wspierania badań nad półprzewodnikami i zrównoważonych innowacji w Europie

Imec, wiodące centrum badań i innowacji w dziedzinie nanoelektroniki i technologii cyfrowych, oraz ASML Holding N.V. (ASML), czołowy dostawca dla przemysłu półprzewodnikowego, ogłaszają dzisiaj, że zamierzają zintensyfikować swoją współpracę podczas kolejnego etapu rozwoju najbardziej zaawansowanej…

Rysunek 1 - Mierzony i przewidywany opór cieplny w zależności od szerokości lameli w dwulamelowych HEMTach GaN-on-Si. / Figure 1 - Measured and predicted thermal resistance vs. finger width of two-finger GaN-on-Si HEMTs.

Abbildung 2 - Geometrie des in der 3D-Simulation verwendeten InP-Nanoridge-HBT. / Rysunek 2 – Geometria InP-nanoridge HBT używanego w symulacji 3D.

Rysunek 3 – Wpływ nie-dyfuzyjnych efektów transportu cieplnego (zarejestrowanych w symulacji Monte Carlo firmy imec) w InP-nanoridge HBT. / Figure 3 – Impact of non-diffusive thermal transport effects (as captured by imec’s Monte Carlo simulation) in InP nanoridge HBTs.

07.12.2022
‌
Konferencja

Imec prezentuje narzędzie symulacyjne do lepszego przewidywania przepływu ciepła w elementach RF dla 5G i 6G

W tym tygodniu imec, światowy lider w dziedzinie badań i innowacji w zakresie nanoelektroniki i technologii cyfrowych, zaprezentuje na Międzynarodowym Spotkaniu Urządzeń Elektronicznych 2022 (IEEE IEDM 2022) ramy modelowania Monte Carlo-Boltzmann, które po raz pierwszy wykorzystują mikroskopowe rozk…

Przekroje TEM linii Ru o rozstawie metalu 18 nm: (po lewej) AR 3, (po prawej) AR 6. Przekroje TEM pokazują niemal pionowy profil linii Ru oraz skalowalność obecnego schematu w kierunku wyższych AR.

17.07.2022
‌
Konferencja

Imec pokazuje sposób na zmniejszenie oporu przewodzenia o połowę dzięki semi-damascene z wysokim stosunkiem aspektowym w procesie

Imec, wiodące na świecie centrum badawczo-innowacyjne w dziedzinie nanoelektroniki i technologii cyfrowych, zaprezentowało na konferencji IEEE International Interconnect Technology Conference 2022 (IITC 2022) technologie zmniejszania oporu metalowych przewodów przy wąskich pitchach metalowych, aby o…

09.07.2022
‌
Automatyzacja

Macronix Octaflash Speicher serii UW oferuje rozwiązania flash o wysokiej gęstości dla procesorów czasu rzeczywistego NXP S32Z i S32E

Macronix International Co., Ltd. (TSE: 2337) ogłosiła dzisiaj, że wysoce wydajna rodzina pamięci Octaflash Macronix MX25UW firmy NXP® Semiconductor została wybrana do bezpiecznej integracji w czasie rzeczywistym procesorów S32Z i S32E w celu obsługi aplikacji czasu rzeczywistego. Wybór ten oznacza k…

EnergyVille 2 budynek badawczy w Genk / EnergyVille 2 research building in Genk

Huw Hampson Jones (Solithor) i -Olivier Rousseaux (imec)

28.05.2022
‌
Bateria

Ein bahnbrechender Ansatz für Festkörperbatterien wird die Grenzen für die Elektrifizierung des Verkehrs durchbrechen

Imec-Spin-off SOLiTHOR zamyka rundę finansowania początkowego w wysokości 10 mln € na rozwój nowej przełomowej technologii dla baterii stałoprądowych

SOLiTHOR, nowo założony spin-off firmy imec - partnera w wiodącym europejskim centrum innowacji w dziedzinie badań i rozwoju energii, Energyville - jest liderem w rozwoju, produkcji i komercjalizacji innowacyjnej technologii ogniw litowo-(Li) do baterii, mającej na celu zapewnienie niezawodnych i ek…

20.03.2022
‌
Nauka

Imec.xpand II podejmuje ważny krok w kierunku jednego z najbardziej skutecznych na świecie funduszy wczesnej fazy dla innowacji w branży półprzewodników

Imec.xpand, inwestor w fazie wczesnego rozwoju, który korzysta z wiedzy, doświadczenia, infrastruktury i sieci imec, światowego lidera w dziedzinie badań i innowacji w zakresie nanoelektroniki i technologii cyfrowych, ogłosił dziś pierwszy zamknięcie swojego drugiego funduszu z deklarowanym kapitałe…

Elastyczny 8-bitowy mikroprocesor firmy Imec obok monety o nominale 2 euro.

Zrzut ekranu gry Snake w akcji i dane czasowe.

24.02.2022
‌
EDV, sprzęt, oprogramowanie

Imec, KU Leuven i PragmatIC Semiconductor demonstrują najszybszy elastyczny 8-bitowy mikroprocesor do energooszczędnych zastosowań

W tym tygodniu imec, światowy lider w dziedzinie badań i innowacji w zakresie nanoelektroniki i technologii cyfrowych, KU Leuven oraz PragmatIC Semiconductor, światowy lider w dziedzinie elastycznej elektroniki, zaprezentują na konferencji International Solid-State Circuits Conference (2022 ISSCC) n…

Nowy układ nadawczy impulsowego radia ultrawąskopasmowego firmy Imec umożliwia przesył danych z prędkością do 1,66 Gb/s dla zastosowań wewnątrz ciała i na krótkim zasięgu. / Nowy układ nadawczy impulsowego radia ultrawąskopasmowego firmy Imec obsługuje prędkości transferu danych do 1,66 Gb/s dla zastosowań wewnątrz ciała i na krótkim zasięgu.

24.02.2022
‌
Targi

Wkład w ISSCC '22 potwierdza, że technologia UWB jest w stanie obsługiwać aplikacje o niskim zużyciu energii i wysokiej przepływności danych — od inteligentnych okularów, które umożliwiają przyszłe doświadczenia AR/VR, po bezprzewodowe T

Imec opracowuje układ nadawczy ultra-szerokopasmowy, który umożliwia przesyłanie danych z prędkością do 1,66 Gb/s przy poborze mocy w zakresie miliwatów

Na Międzynarodowej Konferencji Krótkofalowych Obwodów Stałych (ISSCC), która odbywa się w tym tygodniu, imec - światowy lider w dziedzinie badań i innowacji w zakresie nanoelektroniki i technologii cyfrowych - prezentuje nowy układ nadawczy impulsowego szerokopasmowego (IR-UWB), który może na nowo z…

05.01.2022
‌
Korona

Długoterminowe badanie wykazuje wysoką ładunek wirusowy w wydychanym powietrzu już na początku przebiegu zakażenia SARS-CoV-2

Naukowcy z KU Leuven, UZ Leuven i imec ostrzegają, że wynik szybkiego testu antygenowego w pierwszych dwóch dniach po zakażeniu jest mniej wiarygodny niż się oczekuje. Długoterminowe badanie, podczas którego przeprowadzono również niespotykane dotąd molekularne testy na aerozolach, pokazuje, że iloś…

Przekroje procesowe wysokiego napięcia elementów wyprodukowanych na 200 mm podłożach GaN na SOI (a) e-mode pGaN-HEMT, (b) d-mode MIS-HEMT, (c) dioda Schottky'ego. Wszystkie elementy zawierają metalowe pola ekranowe oparte na warstwach metalowych front-end i interconnect, oddzielonych warstwami dielektrycznymi.

12.12.2021
‌
Nauka

Integracja zapewnia wyraźny wzrost wydajności systemów mocy GaN

Imec pokazuje udaną monolityczną integrację diod Schottky'ego i HEMT-ów w trybie deplecji z 200 V GaN-IC

W tym tygodniu imec, wiodące centrum badań i innowacji w dziedzinie nanoelektroniki i technologii cyfrowych, prezentuje na Międzynarodowym Spotkaniu Elektronowych Urządzeń 2021 (IEEE IEDM 2021) udaną ko-integrację wysokowydajnych diod Schottky'ego i HEMT-ów w trybie deplecji na platformie GaN-on-SOI…

Podgląd NEWSLETTERÓW

Lepsza informacja: ROCZNIK, NEWSLETTER, NEWSFLASH, NEWSEXTRA oraz KATALOG EKSPERTÓW

Bądź na bieżąco i subskrybuj nasz comiesięczny newsletter e-mail oraz NEWSFLASH i NEWSEXTRA. Dodatkowo dowiedz się z drukowanego ROCZNIKA, co dzieje się w świecie cleanroomów. A z naszego katalogu dowiesz się, kto jest EKSPERTEM w cleanroomie.