Nowy rok, nowa praca? Sprawdź oferty! Więcej ...
Buchta MT-Messtechnik Systec & Solutions GmbH C-Tec
reinraum online
Niemiecki Angielski Francuski Węgierski Polski Czeski Włoski Hiszpański Niderlandzki

Wszystkie publikacje od IMEC Belgium

Abbildung 1 - (links) Übertragungskurven von 2D-pFET-Bauelementen mit defektpassivierten, synthetisch hergestellten WSe2-Schichten, wobei das beste Bauelement Imax = 690 µA/µm aufweist; (rechts) TEM-Querschnitt des fertigen 2D-pFET mit doppeltem Gate (Lch= Kanallänge; TG=Top-Gate; BG=Back-Gate; S=Source; D=Drain; IL=Interlayer), in Zusammenarbeit mit TSMC. / Figure 1 – (Left) Transfer curves of 2D-pFET devices using defect-passivated synthetically-created bi-layer WSe2 films, with best device showing Imax = 690 µA/µm; (right) TEM cross-section of finalized dual-gated 2D pFET (Lch=channel length; TG=top gate; BG=back gate; S=source; D=drain; IL=interlayer), in collaboration with TSMC. Rysunek 2 – (a) Suchanie na sucho w SiO2; (b) suchanie na sucho i na mokro, selektywnie zatrzymujące się na monowarstwowym kanale WS2, przy czym również usuwana jest warstwa pośrednia AlOx na całej długości kanału (we współpracy z Intel).
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Współpraca z wiodącymi producentami półprzewodników jest kluczowa dla optymalizacji kluczowych modułów do integracji materiałów 2D w elementach

Imec rozwija technologię elementów opartą na materiałach 2D, aby wspierać mapę drogową przyszłej technologii logiki

– W ramach współpracy z czołowymi producentami półprzewodników, Imec zajął się najważniejszymi wyzwaniami związanymi z rozwojem technologii 2D-układów, która jest uważana za długoterminową opcję rozszerzenia mapy drogowej technologii logiki.
– Współpraca z TSMC doprowadziła do pFET-ów opartych na WSe…
Imec dokonuje pionierskich prac nad produkcją nanoporów w stanie stałym na skalę wafla (300 mm) z wykorzystaniem litografii EUV, jak widać na zdjęciu. © imec / Imec pionieruje pełną produkcję nanoporów w stanie stałym na skalę wafla (300 mm) z użyciem litografii EUV, jak pokazano na zdjęciu. © imec Przekrój i widok z góry w TEM: wyprodukowana półprzewodnikowa nanopor. / Cross-sectional and top-view TEM of the fabricated solid-state nanopore, Przekrój i widok z góry w TEM: wyprodukowana półprzewodnikowa nanopor. / Cross-sectional and top-view TEM of the fabricated solid-state nanopore,
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Przełom umożliwia skalowalne, wysoce precyzyjne zastosowania biosensorowe w naukach biologicznych i technice medycznej

Imec po raz pierwszy za pomocą lithografii EUV demonstruje produkcję półprzewodnikowych nanoporów na waflach w skali przemysłowej

1. Imec osiągnął pierwszą udaną produkcję półprzewodnikowych nanoporów na skalę wafla za pomocą EUV-Lithographie na waflach 300 mm. Ta innowacja zamienia technologię nanoporów z koncepcji laboratoryjnej na skalowalną platformę dla biosensorów, genomiki i proteomiki.
2. Nanopory są chwalone jako klucz…
Czyste pomieszczenie w Imec stanowi podstawę dla PDK-ów NanoIC, opartych na procesach technologicznych 2 nm. / Czyste pomieszczenie w Imec zapewnia podstawę dla PDK-ów NanoIC, opartych na procesach technologicznych 2 nm.
  • ‌
  • Warsztaty / Kurs szkoleniowy

Obszerna aktualizacja Pathfinding N2 P-PDK od NanoIC umożliwia naukowcom i deweloperom zapoznanie się z pełnymi architekturami SoC oraz wspieranie innowacji.

NanoIC rozszerza swój przełomowy N2-PDK o zaawansowane makra pamięci SRAM

W tym tygodniu NanoIC-Pilotlinia, europejska inicjatywa koordynowana przez imec w celu przyspieszenia innowacji w dziedzinie technologii chipów powyżej 2 nm, ogłasza na SEMICON Europe publikację N2 P-PDK v1.0, istotnej aktualizacji ich N2 Pathfinding Process Design Kit (P-PDK). Ta nowa wersja zawier…
Linki: obecny CEO, Luc Van den hove, po prawej: CEO firmy imec od 1 kwietnia 2026 roku, Patrick Vandenameele. / Lewo: obecny CEO, Luc Van den hove, Prawo: CEO firmy imec od 1 kwietnia 2026 roku, Patrick Vandenameele. CEO firmy imec od 1 kwietnia 2026 roku, Patrick Vandenameele.
  • ‌
  • Firma

Imec zapewnia płynne przejęcie i ciągłość strategiczn�

Zmiana na stanowisku kierowniczym w imec: Luc Van den hove zostaje przewodniczącym, Patrick Vandenameele obejmuje stanowisko CEO imec

Rada nadzorcza imec, światowego wiodącego centrum badań i innowacji w dziedzinie nanoelektroniki i technologii cyfrowych, powołała Patricka Vandenameele na stanowisko przyszłego dyrektora generalnego. Ze skutkiem od 1 kwietnia 2026 roku obejmie on następcę obecnego CEO Luc Van den Hove, który w tym…
Przedstawiciele dwunastu członków konsorcjum zebrali się w Międzynarodowym Iberiańskim Laboratorium Nanotechnologii w Bragzie w Portugalii.
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Konsorcjum umożliwia europejskim startupom, małym i średnim przedsiębiorstwom oraz organizacjom badawczym w dziedzinie produkcji półprzewodników dostęp do infrastruktury projektowej, szkoleń i kapitału.

Imec koordiniert EU Chip Design Platform

W ramach Europejskiego Aktu Płytkowego wybrano konsorcjum składające się z 12 europejskich partnerów pod koordynacją imec, aby opracować Platformę Projektowania Układów EU-Chips. Platforma finansowana przez Chips JU (Europejskie Wspólne Przedsięwzięcie ds. Badań i Innowacji w Dziedzinie Półprzewodni…
Abbildung 1 – Top-down-REM-Aufnahmen von Mäandern (links) und Gabeln (rechts) mit 20 nm Abstand nach der Musterübertragung in eine TiN-Hartmaske. / Rysunek 1 - Widoki SEM od góry na meandry (po lewej) i widły (po prawej) z odstępem 20 nm po przeniesieniu wzoru na twardą maskę TiN. Abbildung 2 – TEM-Bild metallisierter Drähte mit 20 nm Abstand nach einem chemisch-mechanischen Poliervorgang (CMP). / Rysunek 2 - Obraz TEM metalizowanych drutów o rozstawie 20 nm po procesie chemiczno-mechanicznego polerowania (CMP).
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Pierwsze testy elektryczne z powtarzalnością 20 nm stanowią kolejny kamień milowy w walidacji ekosystemu wzorcowania ekstremalnego promieniowania ultrafioletowego o wysokiej rozdzielczości (EUV).

Imec ocenia zdolność przewodzenia prądu przez metalowe linie o rozstawie 20 nm, wyprodukowane metodą High NA EUV Single Patterning

W tym tygodniu imec, światowy lider w dziedzinie badań i innowacji w zakresie nanoelektroniki i technologii cyfrowych, prezentuje na SPIE Advanced Lithography + Patterning pierwsze wyniki testów elektrycznych (e-test), uzyskane na strukturach przewodzących metalowych o rozstawie 20 nm, wykonanych me…
300 mm wafla krzemowego zawierająca tysiące urządzeń z GaAs z zbliżeniem na kilka układów i obrazem skaningowego mikroskopu elektronowego układu nano-ramion z GaAs po epitaksji. / A 300 mm silicon wafer containing thousands of GaAs devices with a close-up of multiple dies and a scanning electron micrograph of a GaAs nano-ridge array after epitaxy. 300 mm krzemowy wafer zawierający tysiące urządzeń GaAs z zbliżeniem na kilka układów i obrazem skaningowym elektronowym układu nano-poręczy z GaAs po epitaksji. / A 300 mm silicon wafer containing thousands of GaAs devices with a close-up of multiple dies and a scanning electron micrograph of a GaAs nano-ridge array after epitaxy.
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Imec odnotowuje przełomowy sukces w dziedzinie fotoniki krzemowej, torując tym samym drogę dla tanich i wydajnych komponentów optycznych.

Pierwsza kompletna produkcja elektrycznie pompowanych nanorurek laserów na bazie GaAs na 300-mm waflach krzemowych w skali wafla

Imec, wiodące na świecie centrum badawczo-innowacyjne w dziedzinie nanoelektroniki i technologii cyfrowych, osiągnęło ważny kamień milowy w dziedzinie fotoniki krzemowej, udowadniając skuteczność elektrycznie zasilanych laserów wielo-wielkowych GaAs, które zostały w pełni monolitycznie wyprodukowane…
Abbildung 1 – Konzeptionelle Darstellung (a) eines einreihigen CFET und (b) eines zweireihigen CFET. Das Layout eines Flip-Flops (D-Flip-Flop oder DFF) zeigt eine Verringerung der Zellenhöhe und -fläche um 24 nm (oder 12,5 %) beim Übergang von einem einreihigen zu einem zweireihigen CFET (H. Kuekner et al., IEDM 2024). / Rysunek 1 – Koncepcyjna reprezentacja (a) jednowierszego CFET i (b) dwuwierszego CFET. Układ flip-flopa (D-flip-flop lub DFF) wykazuje zmniejszenie wysokości i powierzchni komórki o 24 nm (lub 12,5%) podczas przejścia z jednowiersowego na dwuwiersowy CFET (H. Kuekner et al., IEDM 2024). Abbildung 2 – Virtueller Prozessablauf für den Aufbau einer zweireihigen CFET-Architektur. Der mit 3D Coventor simulierte Prozessablauf ging von den Spezifikationen einer „virtuellen“ CFET-Fab aus und projizierte zukünftige Verarbeitungskapazitäten und Designspielräume (H. Kuekner et al., IEDM 2024). Die Detailansicht zeigt ein TEM eines monolithischen CFET-Technologie-Demonstrators, der in der 300-mm-Reinraum-F&E-Einrichtung von imec hergestellt wurde (A. Vandooren et al., IEDM 2024). / Figure 2 – Virtual process flow for building a double-row CFET architecture. The process flow, simulated with 3D Coventor, started from the specifications of a ‘virtual’ CFET fab, projecting future processing capabilities and design margins (H. Kuekner et al., IEDM 2024). The zoom-in represents a TEM of a monolithic CFET technology demonstrator fabricated within imec’s 300mm R&D cleanroom facility (A. Vandooren et al., IEDM 2024).
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Nowa standardowa architektura komórkowa oferuje optymalny kompromis między wykorzystaniem powierzchni a złożonością procesu dla logiki i SRAM-u

Imec stawia na dwurzędową technologię CFET dla technologicznego węzła A7

Imec, ein weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, präsentiert auf dem IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2024 eine neue CFET-basierte Standardzellenarchitektur, die aus zwei Reihen CFETs mit einer dazwischen liegenden gemein…
Si spin qubits, wyprodukowane przy użyciu najnowocześniejszych procesów integracji na 300 mm. / Si spin qubits manufactured with state-of-the-art 300mm integration flows.
  • ‌
  • Elektronika (wafer, półprzewodniki, mikroczipy,...)

Wyniki potwierdzają dojrzałość procesów Qubit na waflach o rozmiarze 300 mm, które umożliwiają masową produkcję komputerów kwantowych.

Imec osiąga najniższy poziom szumu ładunkowego dla punktów kwantowych Si-MOS, wyprodukowanych na platformie CMOS o rozmiarze 300 mm

Imec, globalny wiodący ośrodek badawczo-innowacyjny w dziedzinie nanoelektroniki i technologii cyfrowych, ogłosił dziś pomyślną demonstrację wysokiej jakości 300-mmowej, opartej na krzemie, przetwarzania kwantowych bitów spinowych z elementami, które prowadzą do statystycznie istotnego średniego szu…
Podgląd NEWSLETTERÓW

Lepsza informacja: ROCZNIK, NEWSLETTER, NEWSFLASH, NEWSEXTRA oraz KATALOG EKSPERTÓW

Bądź na bieżąco i subskrybuj nasz comiesięczny newsletter e-mail oraz NEWSFLASH i NEWSEXTRA. Dodatkowo dowiedz się z drukowanego ROCZNIKA, co dzieje się w świecie cleanroomów. A z naszego katalogu dowiesz się, kto jest EKSPERTEM w cleanroomie.

Becker Vaisala Piepenbrock Pfennig Reinigungstechnik GmbH