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Tutte le pubblicazioni di IMEC Belgium

Figura 1 - (A sinistra) Curve di trasferimento di dispositivi 2D-pFET con strati di WSe2 sintetici passivati dai difetti, con il miglior dispositivo che mostra Imax = 690µA/µm; (a destra) Sezione TEM del 2D-pFET a doppia gate completato (Lch=lunghezza del canale; TG=top-gate; BG=back-gate; S=source; D=dreno; IL=interstrato), in collaborazione con TSMC. Figura 2 – (a) Incisione a secco in SiO2; (b) incisione a secco e umido che si ferma selettivamente sul canale monostrato di WS2, causando anche la rimozione laterale dello strato intermedio di AlOx lungo tutta la lunghezza del canale (in collaborazione con Intel).
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  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

La collaborazione con i principali produttori di semiconduttori è fondamentale per ottimizzare i moduli chiave per l'integrazione dei materiali 2D negli elementi

Imec sviluppa ulteriormente la tecnologia dei blocchi basata su materiali 2D per supportare la roadmap della futura tecnologia logica

– In collaborazione con i principali produttori di semiconduttori, Imec si è occupata delle principali sfide nello sviluppo della tecnologia dei dispositivi 2D, considerata un'opzione a lungo termine per l'espansione della roadmap della tecnologia logica.
– La collaborazione con TSMC ha portato a pFE…
Imec fa il lavoro di pionieri nella produzione di nanopori a stato solido su scala wafer (300 mm) con litografia EUV, come si può vedere nella foto. © imec / Imec pioneers full wafer-scale (300mm) production of solid-state nanopores with EUV lithography, as shown on photo. © imec Sezione trasversale e vista dall'alto al TEM della nanoporo a stato solido fabbricata, Sezione trasversale e vista dall'alto al TEM della nanoporo a stato solido realizzata,
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  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Il breakthrough consente applicazioni di biosensori scalabili e ad alta precisione nelle scienze della vita e nella tecnologia medica

Imec dimostra per la prima volta tramite litografia EUV la produzione di nanopori semiconduttori in wafer di dimensioni standard

1. Imec ha raggiunto la prima produzione di nanopori semiconduttori su scala wafer mediante litografia EUV su wafer da 300 mm. Questa innovazione trasforma la tecnologia dei nanopori da un concetto di laboratorio a una piattaforma scalabile per biosensori, genomica e proteomica.
2. I nanopori sono ce…
Il cleanroom di Imec costituisce la base per i PDK di NanoIC, basati su processi di 2 nm.
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  • Workshop / Corso

Aggiornamento approfondito del Pathfinding N2 P-PDK di NanoIC consente a ricercatori e sviluppatori di familiarizzare con architetture SoC complete e di promuovere innovazioni.

NanoIC amplia il suo rivoluzionario N2-PDK con avanzati macro di memoria SRAM

Questa settimana la NanoIC-Pilotlinie, un'iniziativa europea coordinata da imec per accelerare l'innovazione nel settore delle tecnologie dei chip oltre i 2 nm, annuncia a SEMICON Europe la pubblicazione del N2 P-PDK v1.0, un importante aggiornamento del loro N2 Pathfinding Process Design Kit (P-PDK…
Link: attuale CEO, Luc Van den hove, Destra: CEO di imec dal 1° aprile 2026, Patrick Vandenameele. / Sinistra: attuale CEO, Luc Van den hove, Destra: CEO di imec dal 1° aprile 2026, Patrick Vandenameele. CEO di imec a partire dal 1° aprile 2026, Patrick Vandenameele.
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  • Azienda

Imec garantisce una continuità senza soluzione di continuità e una continuità strategica

Cambio alla guida di imec: Luc Van den hove diventa Chairman, Patrick Vandenameele succede come CEO di imec

Il Consiglio di Amministrazione di imec, un centro di ricerca e innovazione leader mondiale nel campo della nanoelettronica e delle tecnologie digitali, ha nominato Patrick Vandenameele come prossimo Amministratore Delegato. Con effetto dal 1 aprile 2026, prenderà il posto dell'attuale CEO Luc Van d…
Rappresentanti dei dodici membri del consorzio si sono riuniti presso il Laboratorio Internazionale di Nanotecnologia Iberico a Braga, Portogallo.
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  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Il consorzio consente alle start-up europee, alle piccole e medie imprese e alle organizzazioni di ricerca nel settore della produzione di semiconduttori di accedere a infrastrutture di progettazione, formazione e capitale.

Imec coordina la Piattaforma di Progettazione di Chip dell'UE

Nel quadro del European Chips Act è stato selezionato un consorzio di 12 partner europei sotto la coordinazione di imec per sviluppare la piattaforma di progettazione di chip dell'UE. La piattaforma finanziata da Chips JU (European Joint Undertaking for Semiconductor Research and Innovation) facilit…
Figura 1 – Immagini SEM dall'alto di meandri (a sinistra) e forchette (a destra) con passo di 20 nm dopo il trasferimento del modello in una maschera dura di TiN. Figura 2 – Immagine TEM di fili metallizzati con passo di 20 nm dopo un processo di levigatura chimico-meccanica (CMP).
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  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Primi test elettrici con passo di 20 nm rappresentano un altro traguardo nella convalida dell'ecosistema di patterning EUV (Extreme Ultraviolet) ad alta NA

Imec valuta la capacità di potenza elettrica di linee metalliche con un passo di 20 nm, realizzate con patterning singolo EUV ad alta NA

Questa settimana imec, un centro di ricerca e innovazione leader a livello mondiale nel campo della nanoelettronica e delle tecnologie digitali, presenta alla SPIE Advanced Lithography + Patterning i primi risultati dei test elettrici (e-test), ottenuti con strutture di conduttori metallici con un p…
Un wafer di silicio da 300 mm contenente migliaia di dispositivi GaAs con un ingrandimento di più chip e una micrografia elettronica a scansione di un array di nano-cime GaAs dopo epitassia. Un wafer di silicio da 300 mm contenente migliaia di dispositivi GaAs con un ingrandimento di più chip e una microfotografia a scansione elettronica di un array di nano-creste di GaAs dopo epitassia.
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  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Imec registra un successo travolgente nella fotonica di silicio e apre la strada a componenti ottici economici e ad alte prestazioni.

Prima produzione completa di laser a nano-ridge basati su GaAs alimentati elettricamente su wafer di silicio da 300 mm in scala wafer

Imec, un centro di ricerca e innovazione leader a livello mondiale nel campo della nanoelettronica e delle tecnologie digitali, ha raggiunto un traguardo significativo nella silicon photonics con la dimostrazione riuscita di laser a multi-quantum-well nanoridge basati su GaAs alimentati elettricamen…
Figura 1 – Rappresentazione concettuale di (a) un CFET a riga singola e (b) un CFET a doppia riga. Il layout di un flip-flop (flip-flop di tipo D o DFF) mostra una riduzione dell'altezza e dell'area della cella di 24 nm (o 12,5%) passando da un CFET a riga singola a uno a doppia riga (H. Kuekner et al., IEDM 2024). Figura 2 – Flusso di processo virtuale per la realizzazione di un'architettura CFET a doppia fila. Il flusso di processo, simulato con 3D Coventor, è partito dalle specifiche di una fabbrica CFET
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  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

La nuova architettura cellulare standard offre il miglior compromesso tra utilizzo dello spazio e complessità del processo per logica e SRAM

Imec punta sulla tecnologia CFET a doppia fila per il nodo tecnologico A7

Imec, un centro di ricerca e innovazione leader a livello mondiale nel campo della nanoelettronica e delle tecnologie digitali, presenta al 2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) una nuova architettura di celle standard basata su CFET, composta da due file di CFET con una linea comu…
Si spin qubits, prodotti con i più avanzati processi di integrazione da 300 mm.
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  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

I risultati dimostrano la maturità dei processi Qubit su wafer da 300 mm, che consentono la produzione di computer quantistici su larga scala.

Imec raggiunge il più basso rumore di carica per punti quantici Si-MOS, prodotti su una piattaforma CMOS da 300 mm

Imec, un centro di ricerca e innovazione leader a livello mondiale nel campo della nanoelettronica e delle tecnologie digitali, ha annunciato oggi la dimostrazione di successo di un'elaborazione di qubit di spin di punti quantici basati su silicio di alta qualità su wafer da 300 mm, con dispositivi…
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