Nieuw jaar, nieuwe baan? Bekijk de aanbiedingen! meer ...
HJM Buchta Becker PMS



Alle publicaties voor de rubriek Know How, Instituut

4-inch GaN op SiC wafer van de GaN07-technologie van het Fraunhofer IAF. De wafers worden volledig in de eigen halfgeleiderlijn vervaardigd en getest – inclusief ontwerp, epitaxie, waferverwerking en karakterisering. © Fraunhofer IAF / Frontside bewerkte 4-inch GaN-op-SiC wafer van de GaN07-technologie van het Fraunhofer IAF. De wafers worden volledig vervaardigd en getest in de III-V proceslijn van het Fraunhofer IAF, inclusief ontwerp en fabricage van verwerkingsmaskersets, epitaxie, waferverwerking en karakterisering. © Fraunhofer IAF
  • Know How, Instituut

EuMW 2025: Fraunhofer IAF presenteert 70-nm-GaN-transistor voor high-throughput satellieten

Halfgeleitertechnologie voor breedband-satellietcommunicatie bereikt recordefficiëntie

Onderzoekers van het Fraunhofer IAF hebben een GaN-transistortechnologie ontwikkeld met een poortlengte van 70 nm, die onder satelliet-achtige omstandigheden recordwaarden behaalt op het gebied van efficiëntie. De technologie moet in de toekomst compacte actieve antennes mogelijk maken voor hoge-bit…

Beter geïnformeerd: Met het JAARBOEK, de NIEUWSBRIEF, NEWSFLASH, NEWSEXTRA en de EXPERTENGIDS

Blijf op de hoogte en abonneer u op onze maandelijkse e-mail NIEUWSBRIEF en NEWSFLASH en NEWSEXTRA. Krijg meer informatie over de reinruimtewereld met ons gedrukte JAARBOEK. En ontdek wie de experts op het gebied van reinruimtes zijn in onze gids.

Pfennig Reinigungstechnik GmbH Vaisala MT-Messtechnik Hydroflex