Ez az áttörő eredmény megnyitja az utat a GaN belépéséhez a SiC nagyfeszültségű területére
Imec és az AIXTRON bemutatják a 200 mm-es GaN epitaxiát az AIX G5+ C-en, 1200 V-os alkalmazásokhoz, törésfeszültségnél több mint 1800 V
Az imec, a nanoelektronika és digitális technológiák világszerte vezető kutatási és innovációs központja, valamint az AIXTRON, a kötőfélvezető anyagok bevonási berendezéseinek vezető gyártója, bemutatták a gallium-nitrid (GaN) epitaxiális növekedését, amelyek 1200V-os alkalmazásokhoz vannak kvalifik…
