Ten przełomowy wynik toruje drogę dla wejścia GaN w obszar wysokiego napięcia SiC
Imec i AIXTRON prezentują 200-mm epitaksję GaN na AIX G5+ C dla zastosowań 1200 V z przebiciem przy ponad 1800 V
Imec, weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, und AIXTRON, führender Anbieter von Beschichtungsanlagen für Verbindungshalbleitermaterialien, haben das epitaktische Wachstum von Galliumnitrid (GaN)-Pufferschichten vorgestellt, die für 1200V…








