Diese Woche kündigt die NanoIC-Pilotlinie, eine von imec koordinierte europäische Initiative zur Beschleunigung von Innovationen im Bereich der Chip-Technologien jenseits von 2 nm, auf der SEMICON Europe die Veröffentlichung des N2 P-PDK v1.0 an, einem wichtigen Update ihres N2 Pathfinding Process D…

In keinem anderen Industriezweig sind die Prozesse dermaßen komplex wie in der Halbleiterfertigung. Doch wie gelingt es dieser Branche, steigenden Anforderungen mit innovativen Lösungen zu begegnen? Mit seinem Automatisierungsangebot zeigt Beckhoff, dass moderne Steuerungskonzepte, flexible Kommunik…

Zum ersten Mal präsentiert sich APT Advanced Polymer Tubing, ein Unternehmen der Masterflex Group, vom 18. bis 21. November auf der SEMICON EUROPA. Als etablierter Spezialist für hochreine Fluorkunststoffschläuche und maßgeschneiderte High-Purity-Tubing-Systeme bringt APT seine technische Expertise…

Das Fraunhofer Institut für Photonische Mikrosysteme IPMS hat in den letzten Jahrzehnten eine führende Rolle in der Entwicklung von Mikrodisplays übernommen und stellt nun einen bedeutenden Fortschritt in der Anlagentechnik vor. Die neue Technologie, die im Rahmen des Projekts EdgeVision-Mikrodispla…

AIXTRON SE (FSE: AIXA) beteiligt sich als einer der ersten Partner mit seinem Hyperion GaN-MOCVD-System an einem 300-mm-GaN-Programm für Leistungselektronik. Das Hyperion-System wird genutzt, um 300 mm Epitaxiewafer für das Programm und dessen Partner bereitzustellen und damit die Entwicklung von Ni…

– Die Sparte ZEISS Semiconductor Manufacturing Technology (SMT) hat ihren Forschungs- und Entwicklungsstandort Roßdorf ausgebaut.
– 300 Quadratmeter Reinraumfläche sind neu hinzugekommen.
– Hessens Ministerpräsident Boris Rhein: „Ein starkes Zeichen für unseren Wirtschaftsstandort“.

Die ZEISS Sparte Se…

Die Entwicklung der Ionenimplantation in den 60er Jahren war eine der grundlegenden Voraussetzungen dafür, dass hochintegrierte Schaltkreise, wie wir sie heutzutage kennen, hergestellt werden können. Das Verfahren wird eingesetzt, um Fremdatome in einen Halbleiter einzubringen und auf diese Weise z…

Forschende des Fraunhofer IAF haben eine GaN-Transistor-Technologie mit 70 nm Gatelänge entwickelt, die unter satellitentypischen Bedingungen Rekordwerte hinsichtlich der Effizienz erreicht. Die Technologie soll zukünftig kompakte Aktivantennen für hochbitratige Datentransfers im Ka-, Q- und W-Band…

AlixLabs und NSS Water geben eine strategische Zusammenarbeit zur Entwicklung nachhaltiger und kosteneffizienter Lösungen für das Reinstwasser-Management (dt. für ultra-pure water, UWP) in der Chip-Produktion bekannt. Aufgrund zunehmender Besorgnis über den ständig steigenden Wasserverbrauch der Hal…

Drees & Sommer wurde als spezialisierter Planungspartner für eine neue hochmoderne Halbleiter-Forschungs- und Entwicklungsanlage in Málaga, Spanien, ausgewählt. Die Anlage entsteht im Auftrag des führenden Forschungszentrums imec und umfasst auch zugehörige Versorgungsgebäude. Die spanische staa…