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Hydroflex MT-Messtechnik PMS ClearClean

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Courant de fuite de tampon vertical en conduction directe, mesuré sur un GaN-on-QST® de 1200V à deux températures différentes : (à gauche) 25°C et (à droite) 150°C. Le tampon de 1200V d'Imec montre un courant de fuite vertical inférieur à 1µA/mm² à 25°C et inférieur à 10µA/mm² à 150°C jusqu'à 1200V, avec une défaillance supérieure à 1800V, aussi bien à 25°C qu'à 150°C, ce qui le rend adapté au traitement de composants de 1200V. / Courant de fuite en conduction directe vertical mesuré sur un GaN-on-QST® de 1200V à deux températures différentes : (à gauche) 25°C et (à droite) 150°C. Le tampon de 1200V d'Imec présente un courant de fuite vertical inférieur à 1µA/mm² à 25°C et inférieur à 10µA/mm² à 150°C jusqu'à 1200V avec une rupture supérieure à 1800V, à la fois à 25°C et à 150°C, ce qui le rend adapté au traitement de dispositifs de 1200V.

Ce résultat révolutionnaire ouvre la voie à l'entrée du GaN dans la gamme de haute tension en SiC

Imec et AIXTRON présentent une épitaxie de GaN de 200 mm sur AIX G5+ C pour des applications de 1200 V avec une tension de claquage supérieure à 1800 V

Imec, un centre de recherche et d'innovation de renommée mondiale dans le domaine de la nanoélectronique et des technologies numériques, et AIXTRON, le principal fournisseur d'équipements de dépôt pour les matériaux semi-conducteurs liés, ont présenté la croissance épitaxiale de couches de buffer en…

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