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Toutes les publications de la rubrique Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

Substrats OFET isolés du Fraunhofer IPMS. © Fraunhofer IPMS / Substrats OFET découpés du Fraunhofer IPMS. © Fraunhofer IPMS Substrat OFET du Fraunhofer IPMS en tant que wafer. © Fraunhofer IPMS / Substrats OFET du Fraunhofer IPMS sous forme de wafer. © Fraunhofer IPMS Substrat-OFET du Fraunhofer IPMS dans un emballage en forme de gaufre. © Fraunhofer IPMS / Substrats OFET du Fraunhofer IPMS dans un emballage en forme de gaufre. © Fraunhofer IPMS
  • Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

Substrat pour transistors à effet de champ organiques (OFET) pour le développement de matériaux de haute technologie

Puces en silicium individuelles de Saxe pour la caractérisation des matériaux pour l'électronique imprimée

Quelle de performance des nouveaux matériaux ? Une modification des propriétés conduit-elle à une meilleure conductivité ? Au Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme IPMS, des substrats en silicium conçus à cet effet sont développés et fabriqués. Cela permet la caractérisation électrique fo…

  • Construction neuve

Signature d'une déclaration d'intention pour la création d'une ligne de recherche et développement de 300 mm pour des technologies de puces spéciales à Malaga

Le gouvernement espagnol, la région Andalouse et imec signent une déclaration d'intention (MoU : Memorandum of Understanding), visant à établir une nouvelle ligne de recherche et développement pour la fabrication de puces spéciales en 300 mm à Malaga.

La nouvelle ligne de fabrication complétera la li…

Le chemin de conception PDK permet la conception numérique avec la technologie Gate All Around (GAA) de 2 nm, y compris la connectivité arrière. Le chemin de conception PDK permet la conception numérique avec la technologie Gate All Around (GAA) de 2 nm, y compris la connectivité arrière.
  • Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)

Le kit de conception Pathfinding PDK réduit la barrière à l'entrée pour la science et l'industrie dans les technologies de semi-conducteurs les plus avancées

Imec présente le premier kit de conception de processus de recherche de chemin pour N2 Node

Imec, un centre de recherche et d'innovation mondialement reconnu pour la nanoélectronique et les technologies numériques, présente lors de la Conférence IEEE International Solid-State Circuits (ISSCC) 2024 son Open Process Design Kit (PDK) avec un programme de formation associé, proposé via EUROPRA…

Le nouveau centre d'innovation d'AIXTRON Herzogenrath, 23.11.2023 : Pose de la première pierre pour la construction du nouveau centre d'innovation de l'AIXTRON SE sur le site de Herzogenrath. De gauche à droite : Dr. Christian Danninger, Directeur financier (CFO) d'AIXTRON SE, Dr. Benjamin Fadavian, Maire de la ville de Herzogenrath, Dr. Felix Grawert, Président du Conseil d'administration, CEO & Président d'AIXTRON SE, Kim Schindelhauer, Président du Conseil de surveillance d'AIXTRON SE, Franz-Josef Türck-Hövener, Adjoint technique de la ville de Herzogenrath. (Photo : AIXTRON/F. Stark)
  • Construction neuve

Le principal fournisseur de systèmes de dépôt pour l'industrie des semi-conducteurs investit environ 100 millions d'euros à Herzogenrath. Ainsi, AIXTRON crée une base essentielle pour sa croissance continue et réussie.

AIXTRON commence la construction du nouveau centre d'innovation

AIXTRON SE (FSE : AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) a officiellement commencé la construction du nouveau centre d'innovation sur le site de Herzogenrath. Le fabricant d'équipements spécialisés investit environ 100 millions d'euros – dans une surface de 1000 m² de salle blanche avec des espaces supplémentaire…

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