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- Science
L'intégration assure une nette augmentation des performances des systèmes de puissance en GaN
Imec montre une intégration monolithique réussie de diodes Schottky et de HEMT en mode déplété avec un GaN-IC de 200 V
Cette semaine, imec, le centre de recherche et d'innovation leader dans le domaine de la nanoélectronique et des technologies numériques, présente lors de l'International Electron Devices Meeting 2021 (IEEE IEDM 2021) la co-intégration réussie de diodes à barrière Schottky haute performance et de HE…








