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Diseño de chips de IA y líneas piloto de III-V para la fabricación de electrónica
Fraunhofer IAF en la EFX 2026
Del 6 al 8 de octubre de 2026 se celebrará en el recinto ferial de Stuttgart por primera vez la EFX – Expo for Electronics Manufacturing. El Instituto Fraunhofer para Física del Estado Sólido Aplicada IAF participa en el espacio conjunto de Chip Connect BW. En el centro de atención están las actividades de investigación recientemente iniciadas del instituto en el área de herramientas de IA para el diseño de chips y diseño de chips para aplicaciones de IA, así como sus competencias consolidadas en la fabricación de semiconductores III-V para líneas piloto.
Con la EFX, Messe Stuttgart se posiciona como una nueva plataforma para la fabricación electrónica innovadora, digital y resiliente. El Fraunhofer IAF aprovecha el estreno para hacer visibles dos campos centrales del futuro en microelectrónica: la vinculación de inteligencia artificial y diseño de chips, así como el acceso a líneas piloto III-V potentes y soberanas para integración heterogénea y fabricación de chips.
El Fraunhofer IAF participa activamente como socio en la nueva red de semiconductores de Baden-Württemberg, Chip Connect BW, gestionada por microTEC Südwest. Junto con otros socios de la red, el instituto presenta en la EFX las competencias locales a lo largo de la cadena de valor de los semiconductores y en la transferencia tecnológica.
IA para Chips, Chips para IA – nuevas actividades en Heilbronn
En el stand, el Fraunhofer IAF presenta una exposición interactiva sobre herramientas de IA para el diseño de chips y diseño de chips para aplicaciones de IA. Detrás de esto, hay dos iniciativas recientemente iniciadas del instituto en el Innovation Park Artificial Intelligence (IPAI) en Heilbronn:
En el proyecto estatal »FRAUKE – Diseño de IA de Fraunhofer«, el Fraunhofer IAF, en colaboración con la Universidad de Stuttgart y IMS CHIPS, investiga el diseño de circuitos CMOS para y por inteligencia artificial. El objetivo son procesos de diseño acelerados por IA y componentes de hardware basados en CMOS para aplicaciones de IA, por ejemplo, en el área de Edge Computing y procesamiento de imágenes. El proyecto cuenta con financiación del Ministerio de Economía, Artesanía y Turismo de Baden-Württemberg.
Paralelamente, los institutos Fraunhofer IAF y IIS, junto con el Centro de Investigación e Innovación FIZ Chip AI, están desarrollando una infraestructura a largo plazo para el diseño de chips de IA. Financiado por la Fundación Dieter Schwarz, en el marco de los centros de investigación e innovación Fraunhofer Heilbronn (HNFIZ), se crea una plataforma para »Hardware de IA hecho en Alemania«, que abarca desde procesos de diseño de CMOS asistidos por IA hasta procesadores neuromórficos y redes neuronales spiking para una Edge AI energéticamente eficiente.
Ambas iniciativas fortalecen conjuntamente el ecosistema de chips y IA en Baden-Württemberg y facilitan el acceso a métodos de diseño basados en IA, especialmente para pymes, startups y sectores clave como automoción, ingeniería mecánica y aeroespacial.
Fabricación de semiconductores III-V y líneas piloto soberanas
Además del tema del diseño de chips con IA, el Fraunhofer IAF presenta otra tecnología clave para la fabricación electrónica del mañana en la EFX: la capacidad de hacer accesibles tecnologías específicas de chips III-V en líneas piloto de la industria. Los semiconductores compuestos III-V, como el nitruro de galio (GaN) y el arseniuro de indio y galio (InGaAs), son tecnologías clave para redes 5G/6G, conducción autónoma, comunicación satelital y sistemas de defensa modernos, áreas en las que Europa no debe depender de cadenas de suministro fuera de Europa. Las exposiciones presentadas por el Fraunhofer IAF ejemplifican la cadena de competencias integral del instituto y su sala limpia especializada, desde la epitaxia y el desarrollo de procesos, pasando por el diseño y la caracterización, hasta módulos y prototipado avanzado basados en semiconductores III-V.
Estas competencias también las aporta el Fraunhofer IAF como instituto colaborador de la Fábrica de Investigación en Microelectrónica de Alemania (FMD). Dentro de esta red de 13 institutos Fraunhofer y los institutos Leibniz FBH e IHP, el Fraunhofer IAF proporciona las competencias en III-V para alta frecuencia, potencia y optoelectrónica. Así, el instituto, junto con sus fuertes socios en red, contribuye directamente a capacidades de fabricación europeas resilientes en electrónica, sentando las bases para dominar tecnologías críticas desde el laboratorio hasta la producción industrial.
En el stand, en conversación
»Con nuestra presencia en la EFX, mostramos cómo la IA y la microelectrónica ya trabajan estrechamente juntas hoy en día, desde el diseño inteligente de chips hasta hardware potente para aplicaciones de IA«, dice el Prof. Rüdiger Quay, director del instituto en el Fraunhofer IAF. »Al mismo tiempo, nuestro instituto, con sus líneas piloto III-V y su papel en la Fábrica de Investigación en Microelectrónica de Alemania, representa la transferencia industrial de estas tecnologías en Alemania y Europa.«
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
79108 Freiburg
Alemania








