Questo risultato rivoluzionario apre la strada all'ingresso del GaN nell'ambito delle alte tensioni in SiC
Imec e AIXTRON presentano epitassia GaN da 200 mm su AIX G5+ C per applicazioni da 1200 V con una tensione di breakdown superiore a 1800 V
Imec, un centro di ricerca e innovazione leader a livello mondiale nel campo della nanoelettronica e delle tecnologie digitali, e AIXTRON, il principale fornitore di sistemi di deposizione per materiali semiconduttori di potenza, hanno presentato la crescita epitassiale di strati di buffer di nitrur…








