Nowy rok, nowa praca? Sprawdź oferty! Więcej ...
C-Tec Piepenbrock Systec & Solutions GmbH Pfennig Reinigungstechnik GmbH



Pionowy prąd upływu bufora w kierunku przewodzenia, mierzony na 1200V GaN-on-QST® przy dwóch różnych temperaturach: (po lewej) 25°C i (po prawej) 150°C. Bufor 1200V od Imec wykazuje pionowy prąd upływu poniżej 1µA/mm² przy 25°C i poniżej 10µA/mm² przy 150°C do napięcia 1200V, z przebiciem powyżej 1800V zarówno przy 25°C, jak i 150°C, co czyni go odpowiednim do obróbki elementów o napięciu 1200V. / Vertical forward buffer leakage current measured on 1200V GaN-on-QST® at two different temperatures: (left) 25°C and (right) 150°C. Imec’s 1200V buffer shows vertical leakage current below 1µA/mm² at 25°C and below 10µA/mm² at 150°C up to 1200V with a breakdown in excess of 1800V both at 25°C and 150°C, which makes it suitable for the processing of 1200V devices.

Ten przełomowy wynik toruje drogę dla wejścia GaN w obszar wysokiego napięcia SiC

Imec i AIXTRON prezentują 200-mm epitaksję GaN na AIX G5+ C dla zastosowań 1200 V z przebiciem przy ponad 1800 V

Imec, weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, und AIXTRON, führender Anbieter von Beschichtungsanlagen für Verbindungshalbleitermaterialien, haben das epitaktische Wachstum von Galliumnitrid (GaN)-Pufferschichten vorgestellt, die für 1200V…

Lepsza informacja: ROCZNIK, NEWSLETTER, NEWSFLASH, NEWSEXTRA oraz KATALOG EKSPERTÓW

Bądź na bieżąco i subskrybuj nasz comiesięczny newsletter e-mail oraz NEWSFLASH i NEWSEXTRA. Dodatkowo dowiedz się z drukowanego ROCZNIKA, co dzieje się w świecie cleanroomów. A z naszego katalogu dowiesz się, kto jest EKSPERTEM w cleanroomie.

HJM ClearClean Becker MT-Messtechnik