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Corrente di perdita di buffer verticale in direzione di passaggio, misurata su 1200V GaN-on-QST® a due temperature diverse: (sinistra) 25°C e (destra) 150°C. Il buffer da 1200V di Imec mostra una corrente di perdita verticale inferiore a 1µA/mm² a 25°C e inferiore a 10µA/mm² a 150°C fino a 1200V con una tensione di breakdown superiore a 1800V sia a 25°C che a 150°C, rendendolo adatto alla lavorazione di dispositivi da 1200V.

Questo risultato rivoluzionario apre la strada all'ingresso del GaN nell'ambito delle alte tensioni in SiC

Imec e AIXTRON presentano epitassia GaN da 200 mm su AIX G5+ C per applicazioni da 1200 V con una tensione di breakdown superiore a 1800 V

Imec, un centro di ricerca e innovazione leader a livello mondiale nel campo della nanoelettronica e delle tecnologie digitali, e AIXTRON, il principale fornitore di sistemi di deposizione per materiali semiconduttori di potenza, hanno presentato la crescita epitassiale di strati di buffer di nitrur…

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