Nieuw jaar, nieuwe baan? Bekijk de aanbiedingen! meer ...
Becker Buchta ClearClean MT-Messtechnik



Verticale bufferlekstroom in doorlaatrichting, gemeten op 1200V GaN-on-QST® bij twee verschillende temperaturen: (links) 25°C en (rechts) 150°C. De 1200V-buffer van Imec toont een verticale lekstroom onder 1µA/mm² bij 25°C en onder 10µA/mm² bij 150°C tot 1200V met een doorbraak van meer dan 1800V, zowel bij 25°C als bij 150°C, waardoor het geschikt is voor de verwerking van 1200V-componenten. / Verticale forward buffer lekstroom gemeten op 1200V GaN-on-QST® bij twee verschillende temperaturen: (links) 25°C en (rechts) 150°C. De 1200V-buffer van Imec toont een verticale lekstroom onder 1µA/mm² bij 25°C en onder 10µA/mm² bij 150°C tot 1200V met een doorbraak van meer dan 1800V, zowel bij 25°C als bij 150°C, wat het geschikt maakt voor de verwerking van 1200V-apparaten.

Dit baanbrekende resultaat effent de weg voor de toetreding van GaN tot het SiC-hoofdstroomgebied

Imec en AIXTRON presenteren 200-mm-GaN-epitaxie op AIX G5+ C voor 1200-V-toepassingen met een doorbraak bij meer dan 1800 V

Imec, een wereldwijd toonaangevend onderzoeks- en innovatiecentrum voor nano-elektronica en digitale technologieën, en AIXTRON, de toonaangevende leverancier van coatingapparatuur voor compound halfgeleider-materialen, hebben de epitaxiale groei van Galliumnitrid (GaN)-pufferschichten geïntroduceerd…

Beter geïnformeerd: Met het JAARBOEK, de NIEUWSBRIEF, NEWSFLASH, NEWSEXTRA en de EXPERTENGIDS

Blijf op de hoogte en abonneer u op onze maandelijkse e-mail NIEUWSBRIEF en NEWSFLASH en NEWSEXTRA. Krijg meer informatie over de reinruimtewereld met ons gedrukte JAARBOEK. En ontdek wie de experts op het gebied van reinruimtes zijn in onze gids.

C-Tec HJM Piepenbrock PMS