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Tutte le pubblicazioni di IMEC Belgium

Array di qubit funzionante con distanze tra i plunger (P) e le barriere (B) di circa 6 nanometri, reso possibile dalla litografia EUV ad alta NA. L'immagine mostra inoltre le porte di accumulo (A) e di confinamento (C).
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  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Il sistema di litografia più avanzato, che sarà di fondamentale importanza per i futuri memorie ad alte prestazioni e microchip, svolgerà un ruolo chiave nello sviluppo della tecnologia quantistica.

Unico nel suo genere al mondo: imec presenta un modulo di qubit a punti quantici, prodotto con litografia EUV ad alta NA

    1. Imec presenta per la prima volta al mondo un elemento di base di un qubit a punti quantici, prodotto mediante litografia EUV ad alta NA.
2. Questa dimostrazione rappresenta una pietra miliare nel percorso verso la scalabilità industriale di qubit più affidabili, le unità di calcolo fondamentali…
Figura 1 – (a) Rappresentazione schematica della struttura 3D-CCD basata su tre linee di parola: gate inferiore (BG), gate centrale (CG) e gate superiore (TG), con Source (S) in basso e Drain (D) in alto; (b) Immagine di sezione trasversale TEM che mostra tre strati di gate con una distanza tra le linee di parola di 80 nm. Figura 2 – (a) Rappresentazione dello schema di controllo attraverso tre gate per il trasferimento di carica seriale in una memoria 3D-CCD con tre linee di parola; (b) Rappresentazione schematica del funzionamento del 3D-CCD, che illustra il trasferimento di elettroni attraverso la formazione e lo spostamento di pozzi di potenziale sotto i gate. Figura 3 – (a) Curve I-f di 7 componenti con diversi diametri dei Memory Holes (MH), misurate fino a 4 MHz; (b) il numero di elettroni trasferiti per ciclo, determinato dalla pendenza delle rispettive curve I-f.
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  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

La fattibilità dell'integrazione di un componente CCD (Charge Coupled Device) in un'architettura simile a 3D-NAND apre la strada a una soluzione di memoria economica con alta densità di bit, per superare il limite di memoria nelle carichi di lavoro specif

Imec presenta la prima implementazione tridimensionale di un elemento di circuito a carica per applicazioni di memoria AI

– Imec presenta la prima implementazione 3D di un sensore di immagine a carica accoppiata (CCD) con un canale in Indio-Gallio-Zinco-Ossido (IGZO), che offre potenzialità per applicazioni di memoria AI.
– Grazie alla produzione a basso costo, all'elevata densità di bit e alla proprietà di indirizzamen…
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  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Il passo amplia la competenza globale nel settore dei servizi ASIC e mira a realizzare i progetti più impegnativi del settore nei settori dell'IA, HPC, telefonia mobile e automotive.

IC-Link di imec si unisce alla TSMC 3DFabric® Alliance per promuovere innovazioni nel campo delle tecnologie di packaging avanzate e degli IC 3D

Imec, un centro di ricerca e innovazione leader a livello mondiale nel campo delle tecnologie avanzate dei semiconduttori, ha annunciato che IC-Link by imec, il fornitore di servizi di progettazione e produzione di imec per ASIC e silicio fotonico, ha aderito alla TSMC Open Innovation Platform® (OIP…
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  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Nuovi PDK di interconnessione avanzati aprono la strada a un'integrazione chip-a-chip ad alta densità ed efficiente dal punto di vista energetico.

NanoIC apre l'accesso ai primi PDK per connessioni di bonding ibrido Fine-Pitch-RDL e D2W

Il 02 marzo 2026, la NanoIC-Prototype Line, un'iniziativa europea coordinata da imec per accelerare le innovazioni nel settore delle tecnologie dei chip oltre i 2 nm, ha pubblicato due PDK (Process Design Kits) avanzati e unici per le tecnologie di interconnessione: un PDK per i Fine-Pitch-Redistrib…
Da sinistra a destra: Patrick Vandenameele (CEO-designato imec), Thomas Skordas (Commissario europeo), Luc Van den hove (CEO imec), Henna Virkkunen (Commissario europeo), Matthias Diependaele (MP Fiandre), Jari Kinaret (Direttore esecutivo Chips JU), Christophe Fouquet (CEO ASML).
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  • Nuovo edificio

Imec celebra l'apertura ufficiale di una seconda espansione di 2.000 m² di ambiente di produzione pulito sul suo campus a Lovanio, dedicata alla sua linea di NanoIC europei.

Imec wiegt NanoIC-Pilotlinie ein und beschleunigt damit Innovationen im Bereich der Sub-2-nm-System-on-Chip-Technologie

Dotato degli strumenti più avanzati, tra cui lo strumento EUV ad alta NA di ASML, la camera bianca di Imec rappresenta un pilastro dell'iniziativa NanoIC, dedicata allo sviluppo della tecnologia dei chip sotto i 2 nm. Esattamente quattro anni dopo che la Presidente dell'UE Von der Leyen ha annunciat…
Rappresentazione 3D della struttura del dispositivo A14 con i quattro nanosheets impilati, la connessione locale e il contatto metallico sul retro. / 3D representation of the A14 device structure showing the 4 stacked nanosheets with its local routing and back side metal contact. Una matrice di celle IGZO 4x4 2T0C, in cui i transistor di lettura/scrittura (RTX/WTX) si trovano ai livelli superiore/inferiore e dispongono delle connessioni corrispondenti. / A 4x4 matrice di celle IGZO 2T0C in cui i transistor di lettura/scrittura (RTX/WTX) sono sui livelli superiore/inferiore con le connessioni corrispondenti.
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  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

L'introduzione dei nuovi kit di progettazione dei processi A14 e Embedded-DRAM (PDK) accelera la ricerca e l'innovazione nel campo della scalabilità logica e di memoria.

NanoIC completa il suo portafoglio PDK con il suo primo PDK di logica A14 e memoria eDRAM

Il 02 febbraio 2026, la NanoIC-Pilotlinie, un'iniziativa europea coordinata da imec per accelerare l'innovazione nel settore delle tecnologie dei chip con strutture inferiori a 2 nm, ha annunciato la pubblicazione di due nuovi Kit di Progettazione di Processo (PDK): un PDK A14-Pathfinding per la sca…
Foto del sistema di ossido Veeco da 300 mm per Hybrid-MBE BTO su epitassia di silicio. Immagine in sezione trasversale di una ripresa TEM della struttura eterostrutturale BaTiO3/SrTiO3/Si(001) con ingrandimenti di dettaglio tramite microscopia ad alta risoluzione e microscopia a forza atomica. / Immagine in sezione trasversale di una ripresa di microscopia elettronica a trasmissione della struttura eterostrutturale BaTiO3/SrTiO3/Si(001) con immagini ingrandite ad alta risoluzione e di microscopia a forza atomica in inserto.
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  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Soluzione unica per l'epitassia di titanato di bario su silicio per accelerare le applicazioni di datacom e di calcolo quantistico

Veeco e imec sviluppano un processo compatibile con 300 mm per consentire l'integrazione di titanato di bario nella fotonica di silicio

Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) e imec hanno annunciato di aver sviluppato insieme un processo da 300 mm adatto alla produzione di massa, che consente l'integrazione di Bario-Titanato (BaTiO3 o BTO) su una piattaforma fotonica in silicio. Il BTO è un materiale promettente con proprietà elettro…
La camera bianca di Imec costituisce la base per i PDK di NanoIC, basati su processi di 2 nm. (Immagine: Imec) / La cleanroom di Imec fornisce la base per i PDK di NanoIC, basati su flussi di processo da 2 nm. (Foto: Imec)
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  • Workshop / Corso

Aggiornamento completo del Pathfinding N2 P-PDK di NanoIC consente a ricercatori e sviluppatori di familiarizzare con architetture SoC complete e di promuovere l'innovazione.

NanoIC amplia il suo rivoluzionario N2-PDK con avanzati macro di memoria SRAM

NanoIC-Pilotlinie, un'iniziativa europea coordinata da imec per accelerare l'innovazione nel settore delle tecnologie chip oltre i 2 nm, ha annunciato la pubblicazione del N2 P-PDK v1.0, un importante aggiornamento del loro N2 Pathfinding Process Design Kit (P-PDK). Questa versione include diverse n…
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