A Purdue Egyetem szén-dioxid nanomateriálokat kutat az AIXTRON Black Magic berendezéssel

A Purdue Egyetem szén nanomateriálokat kutat az AIXTRON Black Magic berendezéssel

A Purdue Egyetem West Lafayetteben, Indiana államban, az Egyesült Államokban található Birck Nanotechnológiai Központ egy Black Magic berendezést rendelt be egy 2 hüvelykes konfigurációban. A megrendelés a 2009 negyedik negyedévében történt, a berendezést a 2010 második negyedévében szállítják. Az új berendezéssel szén nanomateriálokat és High-K-oxidokat vonnak le ALD1)-technológiával.

Ahogyan Peide Ye professzor, a Purdue Egyetem megerősíti, a projekt az úgynevezett DURIP-program keretében támogatást kap az amerikai védelmi minisztériumtól. A Black Magic CVD/PECVD2)-berendezés az alapja a CMOS3)-karakterizáció aktuális kutatási projektjeinek: „Ez az első CVD berendezés, amely két különböző növekedési módot integrál – így nemcsak nanokarbon anyagokat és ún. grafént, hanem High-K-oxidokat is in-situ-ALD módszerrel tudunk levonni.” Ezáltal képesek vagyunk a szén- és oxid-alapú csatornamateriálokat a következő eszközgeneráció számára továbbfejleszteni. „Az előny, hogy oxidokat in-situ közvetlenül a csatorna növekedése után lehet felvinni, abban rejlik, hogy így esetleg elkerülhetjük a szennyeződéseket, és tiszta csatorna/oxid határfelületeket, valamint erősebb eszközöket tudunk gyártani.”

A 2005 júliusában megnyitott, 58 millió dollárba kerülő, 187 000 négyzetméteres Birck Nanotechnológiai Központ a Scifres Nanofabrication Laboratoryval rendelkezik, amely 2500 négyzetméteres tisztatérrel van ellátva a nanotechnológiai gyártáshoz, az 1-10-100 osztályok szerint. A nanostruktúrák kutatására szolgáló helyiségek minimális rezgésekkel vannak elkülönítve, és a hőmérséklet- valamint környezeti körülményeket rendkívül precízen szabályozzák, emellett laboratóriumok találhatók nanofotonika, kristálynövesztés, molekuláris elektronika, MEMS/NEMS4), felületelemzés, SEM/TEM5)-eljárások és az ezután következő elektromos karakterizálás számára. A kiemelkedő együttműködési struktúrával az egyetem támogatja a nanotechnológia területén az iparral való interakciót és technológiai transzfert.
Dr. Rainer Beccard, az AIXTRON marketing alelnöke: „Az III-V vegyületek csatornamateriaalként való alkalmazása már most ígéretes megközelítés Moore törvényének követéséhez a jövőben. Emellett most a szénalapú alternatív csatornamateriálok lehetőségeit vizsgálják. Az AIXTRON MOCVD berendezései 300 mm-es szilíciumlapkákhoz bizonyítottak a III-V csatornamateriálok gyártásában. Az egyedülálló CNT-/Grafén-/ALD berendezés bevezetésével a Purdue Egyetemen mostantól a szén nanomateriálok kutatása is folytatható.”

1) ALD, Atomic Layer Deposition = Atomréteges lerakás
2) CVD/PECVD, (Plasma Enhanced) Chemical Vapor Deposition = Plazmával segített kémiai gázfázisú lerakás
3) CMOS, Complementary Metal Oxide Semiconductor = Komplementer fém-oxid félvezető
4) MEMS, Micro-Electro-Mechanical Systems = Mikroelektromechanikus rendszerek / NEMS, Nanoelektromechanikus rendszerek
5) SEM = Szekunder elektron mikroszkóp; TEM = Transzmissziós elektronmikroszkóp