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La Universidad de Purdue investiga nanomateriales de carbono con el equipo AIXTRON Black Magic
La Universidad de Purdue investiga nanomateriales de carbono con el sistema AIXTRON Black Magic
El Centro de Nanotecnología Birck de la Universidad de Purdue en West Lafayette, Indiana, EE. UU., ha solicitado una planta Black Magic en una configuración de 2 pulgadas. La recepción del pedido se realizó en el cuarto trimestre de 2009, y la planta será entregada en el segundo trimestre de 2010. Con la nueva planta se depositarán materiales de nanotecnología de carbono y óxidos de alto-K mediante tecnología ALD1).
Como confirma el profesor Peide Ye de la Universidad de Purdue, el proyecto cuenta con el apoyo del programa DURIP del Ministerio de Defensa de EE. UU. La planta Black Magic CVD/PECVD2) constituye la base para los proyectos de investigación actuales en la caracterización de CMOS3): «Esta es la primera planta CVD que integra dos modos de crecimiento diferentes, lo que nos permite depositar no solo nanomateriales de carbono y grafeno, sino también óxidos de alto-K mediante un proceso in-situ de ALD». Esto permite desarrollar materiales de canal basados en carbono y óxido para la próxima generación de componentes. «La ventaja de aplicar óxidos in-situ inmediatamente después del crecimiento del canal radica en que posiblemente se eviten contaminaciones y podamos fabricar interfaces canal/óxido limpias, logrando componentes con mayor rendimiento».
Con el Laboratorio de Nanofabricación Scifres, el Centro de Nanotecnología Birck, inaugurado en julio de 2005 con una inversión de 58 millones de dólares y una superficie de 187,000 metros cuadrados, cuenta con una sala limpia de 2,500 metros cuadrados para la fabricación de nanotecnología de clases 1-10-100. Además de espacios para investigación en nanoestructuras, aislados contra las menores vibraciones y en los que las condiciones de temperatura y ambiente se controlan con extrema precisión, hay laboratorios para nanofotónica, crecimiento de cristales, electrónica molecular, MEMS/NEMS4), análisis de superficies, procedimientos SEM/TEM5) y para la caracterización eléctrica posterior. Gracias a una estructura de cooperación destacada, la universidad fomenta además la interacción y transferencia tecnológica con la industria en el campo de la nanotecnología.
El Dr. Rainer Beccard, Vicepresidente de Marketing de AIXTRON: «El uso de compuestos III-V como materiales de canal ya es un enfoque prometedor para seguir la Ley de Moore en el futuro. Además, ahora se están investigando las posibilidades de materiales de canal alternativos basados en carbono. Las plantas MOCVD de AIXTRON para obleas de 300 mm han demostrado ser eficaces para la fabricación de materiales de canal III-V. Con la implementación de la planta única de CNT/grafeno/ALD en la Universidad de Purdue, ahora también se puede realizar investigación en materiales de nanotecnología de carbono allí».
1) ALD, Deposición de Capas Atómicas
2) CVD/PECVD, Deposición de Vapor Químico (aumentada por plasma)
3) CMOS, Semicondutor de Óxido de Metal Complementario
4) MEMS, Sistemas Microelectromecánicos / NEMS, Sistemas Nanoelectromecánicos
5) SEM = Microscopio de Electrones Secundarios; TEM = Microscopio de Transmisión de Electrones
