- Vertaald met AI
Purdue University onderzoekt koolstofnanomaterialen met AIXTRON Black Magic-installatie
Purdue University onderzoekt koolstofnanomaterialen met AIXTRON Black Magic-installatie
Het Birck Nanotechnology Center van de Purdue University in West Lafayette, Indiana, USA, heeft een Black Magic-installatie besteld in een 2-inch configuratie. De order werd in het vierde kwartaal van 2009 geplaatst, de installatie wordt in het tweede kwartaal van 2010 geleverd. Met de nieuwe installatie worden koolstofnanomaterialen en high-K-oxiden afgezet met behulp van ALD1)-technologie.
Zoals professor Peide Ye van de Purdue University bevestigt, wordt het project ondersteund door het zogenaamde DURIP-programma van het Amerikaanse ministerie van defensie. De Black Magic CVD/PECVD2)-installatie vormt de basis voor de huidige onderzoeksprojecten van de CMOS3)-karakterisering: "Dit is de eerste CVD-installatie die twee verschillende groeimodi integreert — waarmee we niet alleen nanokarbonmaterialen en zogenaamd grafiet, maar ook high-K-oxiden kunnen afzetten met behulp van in-situ-ALD-processen." Daarmee is men in staat om koolstof- en oxidgebaseerde kanaalmaterialen verder te ontwikkelen voor de volgende generatie componenten. "Het voordeel van het direct in-situ aanbrengen van oxiden na de kanaalgroei ligt in het vermijden van verontreinigingen en het produceren van schone kanaal/oxide-grensvlakken, waardoor krachtigere componenten kunnen worden vervaardigd."
Met het Scifres Nanofabrication Laboratory beschikt het in juli 2005 geopende, 58 miljoen dollar kostende, 187.000 vierkante meter grote Birck Nanotechnology Center over een 2.500 vierkante meter grote cleanroom voor nanoproductie van klasse 1-10-100. Naast ruimtes voor nanostructuuronderzoek, die tegen minimale trillingen zijn afgeschermd en waarin temperatuur- en omgevingscondities uiterst nauwkeurig worden geregeld, zijn er laboratoria voor nanofotoniek, kristalgroei, moleculaire elektronica, MEMS/NEMS4), oppervlakteanalyse, SEM/TEM5)-methoden en voor de daaropvolgende elektrische karakterisering. Met een uitgesproken samenwerkingsstructuur bevordert de universiteit bovendien de interactie en de technologische overdracht met de industrie op het gebied van nanotechnologie.
Dr. Rainer Beccard, Vice President Marketing bij AIXTRON: "Het gebruik van III-V-verbindingen als kanaalmaterialen is al een veelbelovende aanpak om de wet van Moore in de toekomst te volgen. Daarnaast onderzoekt men nu de mogelijkheden van alternatieve kanaalmaterialen op koolstofbasis. AIXTRONs MOCVD6)-installaties voor 300 mm-wafers hebben zich bewezen voor de productie van III-V-kanaalmaterialen. Met de implementatie van de unieke CNT-/grafen-/ALD-installatie aan de Purdue University kan daar nu ook het bijbehorende onderzoek naar koolstofnanomaterialen worden uitgevoerd."
1) ALD, Atomic Layer Deposition = Atomlagenafzetting
2) CVD/PECVD, (Plasma Enhanced) Chemical Vapor Deposition = (plasmagestuurde) gasfase-afzetting
3) CMOS, Complementary Metal Oxide Semiconductor = complementaire metaal-oxide-halfgeleider
4) MEMS, Micro-Electro-Mechanical Systems = micro-elektromechanische systemen / NEMS, nano-elektromechanische systemen
5) SEM = Scanning Electron Microscope; TEM = Transmission Electron Microscope
