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- Électronique (wafers, semi-conducteurs, microprocesseurs,...)
Une nouvelle approche d'intégration de 300 mm pour les composants basée sur des matériaux 2D permet la fabrication de transistors n- et p- à l'échelle avec un pas de poly contacté de 50 nm.
ASML, TSMC et imec rendent les transistors industriels à partir de matériaux 2D plus tangibles grâce à une intégration révolutionnaire de 300 mm
– ASML, TSMC et imec présentent un procédé d'intégration innovant de 300 mm pour transistors basé sur des matériaux 2D, permettant pour la première fois la réalisation de nFETs et pFETs à l’échelle avec un espacement de contact (CPP) de 50 nm, structurés par lithographie EUV.
– De bons résultats ont…
