-
- Savoir-faire, Institut
EuMW 2025 : Fraunhofer IAF présente le transistor GaN de 70 nm pour satellites à haut débit
Technologie des semi-conducteurs pour la communication par satellite à large bande atteint une efficacité record
Des chercheurs du Fraunhofer IAF ont développé une technologie de transistor en GaN avec une longueur de porte de 70 nm, atteignant des valeurs record en termes d'efficacité dans des conditions typiques de satellites. La technologie doit permettre à l'avenir la fabrication d'antennes actives com…








