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Tutte le pubblicazioni di Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF

Wafer da 4 pollici in GaN su SiC della tecnologia GaN07 del Fraunhofer IAF. I wafer sono completamente prodotti e testati nella linea di produzione di semiconduttori interna, inclusi design, epitassia, lavorazione del wafer e caratterizzazione. © Fraunhofer IAF / Wafer da 4 pollici in GaN su SiC lavorato frontalmente della tecnologia GaN07 del Fraunhofer IAF. I wafer sono completamente fabbricati e testati nella linea di processo III-V del Fraunhofer IAF, inclusi la progettazione e la fabbricazione di set di maschere di lavorazione, epitassia, lavorazione del wafer e caratterizzazione. © Fraunhofer IAF
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  • Sapere Come, Istituto

EuMW 2025: Fraunhofer IAF presenta il transistor GaN da 70 nm per satelliti ad alta capacit�

Tecnologia dei semiconduttori per le comunicazioni satellitari a banda larga raggiunge un'efficienza record

Ricercatori dell'Istituto Fraunhofer IAF hanno sviluppato una tecnologia di transistor GaN con una lunghezza di gate di 70 nm, che raggiunge valori record di efficienza in condizioni tipiche satellitari. La tecnologia dovrebbe consentire in futuro antenne attive compatte per trasferimenti di dati ad…
Segretario di Stato Dr. Patrick Rapp (a destra), Ministero dell'Economia, del Lavoro e del Turismo, consegna alla direzione dell'Istituto del Fraunhofer IAF, Dr. Patricie Merkert (a sinistra) e Prof. Dr. Rüdiger Quay (al centro), l'assegno simbolico per l'importo del finanziamento di 4,35 milioni di euro. © Fraunhofer IAF / Il Segretario di Stato Dr. Patrick Rapp, Ministero dell'Economia, del Lavoro e del Turismo, consegna l'assegno simbolico per l'importo di 4,35 milioni di euro alla direzione dell'Istituto Fraunhofer IAF, Dr. Patricie Merkert e Prof. Dr. Rüdiger Quay. © Fraunhofer IAF Dopo la consegna dell'assegno, il Sottosegretario di Stato Dr. Patrick Rapp si confronta sul posto sulla linea pilota APECS e sulle attività pianificate dell'Istituto Fraunhofer IAF. © Fraunhofer IAF / After handing over the cheque, State Secretary Dr. Patrick Rapp discusses the APECS pilot line and the planned activities of Fraunhofer IAF on site. © Fraunhofer IAF Nell'ambito della linea pilota APECS, l'area della tecnologia di incisione a secco nel clean room del Fraunhofer IAF per wafer da 6'' viene ampliata. © Fraunhofer IAF Chiplet di sensori di pressione post-CMOS con involucro a livello di wafer prima della separazione. © Fraunhofer ISIT / Chiplet di sensori di pressione post-CMOS con confezionamento a livello di wafer prima del taglio. © Fraunhofer ISIT
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  • Sapere Come, Istituto

Baden-Württemberg partecipa con 4,35 milioni di euro al finanziamento nell'ambito del EU Chips Act

Fraunhofer IAF amplia le capacità tecnologiche per le innovazioni nei chiplet nell'ambito della linea pilota APECS

Il Fraunhofer IAF amplia le sue capacità tecnologiche nel settore dei semiconduttori a collegamento III-V e contribuisce così in modo prezioso alla creazione della linea pilota APECS nell'ambito del EU Chips Acts. Il Ministero dell'Economia, del Lavoro e del Turismo del Baden-Württemberg partecip…
I ricercatori del Fraunhofer IAF sono riusciti a crescere strutture eterostrutture AlYN/GaN in un reattore MOCVD su substrati SiC da 4 pollici. © Fraunhofer IAF / Researchers at Fraunhofer IAF have succeeded in growing AlYN/GaN heterostructures in a MOCVD reactor on 4-inch SiC substrates. © Fraunhofer IAF Le diverse tonalità di colore dei wafer AlYN/GaN derivano da differenti concentrazioni di ittrio e condizioni di crescita. © Fraunhofer IAF / Le diverse sfumature di colore dei wafer AlYN/GaN risultano da diverse concentrazioni di ittrio e condizioni di crescita. © Fraunhofer IAF Con il loro lavoro sull'epitassia e sulla caratterizzazione di strutture eterostrutture AlYN/GaN, il team di ricerca del Fraunhofer IAF ha raggiunto una svolta nel campo dei materiali semiconduttori. © Fraunhofer IAF / Con il loro lavoro sull'epitassia e sulla caratterizzazione di strutture eterostrutture AlYN/GaN, il team di ricerca del Fraunhofer IAF ha raggiunto una svolta nel campo dei materiali semiconduttori. © Fraunhofer IAF
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  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Punto di svolta nello sviluppo dei semiconduttori

Nuovo materiale semiconduttore: AlYN promette elettronica più efficiente dal punto di vista energetico e con prestazioni superiori

Ricercatori dell'Istituto Fraunhofer IAF hanno raggiunto un progresso nel campo dei materiali semiconduttori: con l'aluminio yttrit nitrido (AlYN) sono riusciti a produrre e caratterizzare un nuovo e promettente materiale semiconduttore mediante il metodo MOCVD. Grazie alle sue eccellenti proprietà…
Il prober on-wafer criogenico presso il Fraunhofer IAF effettua in modo completamente automatico la caratterizzazione di fino a 25 wafer interi da 200 mm o 300 mm con dispositivi per il calcolo e la rilevazione quantistica. © Fraunhofer IAF / The cryogenic on-wafer prober at Fraunhofer IAF enables fully automatic characterizations of up to 25 whole 200-mm or 300-mm wafers with devices for quantum computing and sensing. © Fraunhofer IAF Sguardo nella camera principale con un wafer da 200 mm al centro sul chuck, che viene mosso sotto la scheda di prova. Il sistema sta testando un wafer del progetto »QUASAR«, in cui i ricercatori stanno sviluppando transistor a singolo elettrone (SET) basati su pozzi quantici di silicio da utilizzare come dispositivo per i qubit di spin. © Fraunhofer IAF / Vista nella camera principale con un wafer da 200 mm al centro sul chuck che viene spostato sotto la scheda di prova. Il sistema sta testando un wafer del progetto QUASAR, in cui i ricercatori stanno sviluppando transistor a singolo elettrone (SET) basati su pozzi quantici di silicio da utilizzare come dispositivo per i qubit di spin. © Fraunhofer IAF 1-K-cryostat con linee condotte per misure in corrente continua e ad alta frequenza. © Fraunhofer IAF / 1 K cryostat con linee condotte per misure in corrente continua e ad alta frequenza. © Fraunhofer IAF
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  • Scienza

Progetto »KryoproPlus« completato con successo

Prober criogenico on-wafer determina la qualità dei componenti qubit per il calcolo quantistico e la sensoristica quantistica

La prima installazione criogenica in Germania per la misurazione statistica della qualità dei componenti di Qubit su wafer da 200 e 300 mm presso il Fraunhofer IAF ha iniziato il suo funzionamento. Il sonda on-wafer può caratterizzare componenti basati su punti quantici di semiconduttori e punti q…
Segretario di Stato per l'economia Dr. Patrick Rapp e il direttore ad interim dell'istituto Prof. Dr. Rüdiger Quay nel ambiente sterile del Fraunhofer IAF. © Fraunhofer IAF Nella sala di formazione sul calcolo quantistico del Fraunhofer IAF sono stati presentati i progressi nell'ottimizzazione degli algoritmi quantistici. © Fraunhofer IAF Nel laboratorio di applicazioni di sensori quantistici del Fraunhofer IAF sono disponibili sistemi di misurazione quantistici all'avanguardia. © Fraunhofer IAF
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  • Scienza

Il dottor Patrick Rapp e il professor Rüdiger Quay parlano di opportunità industriali e possibilità di cooperazione in Baden-Württemberg

Il sottosegretario all'economia si informa presso l'IAF del Fraunhofer sulle tecnologie quantistiche

Durante la sua visita al Fraunhofer IAF il 31 marzo 2023, il segretario di stato dell'economia del Baden-Württemberg, Dr. Patrick Rapp, e il direttore ad interim dell'istituto, Prof. Dr. Rüdiger Quay, hanno discusso delle opportunità industriali e delle possibilità di cooperazione nel settore de…
Il Fraunhofer IAF ha ampliato la sua infrastruttura di ricerca all'avanguardia per le tecnologie dei semiconduttori con una nuova sala MOCVD (davanti) e un nuovo edificio di laboratorio (dietro). © Fraunhofer IAF / Fraunhofer IAF ha ampliato la sua infrastruttura di ricerca all'avanguardia per le tecnologie dei semiconduttori con una nuova sala MOCVD (davanti) e un nuovo edificio di laboratorio (dietro). © Fraunhofer IAF Il 30 giugno 2022 sono stati ufficialmente inaugurati i nuovi edifici di ricerca del Fraunhofer IAF. © Fraunhofer IAF / Il 30 giugno 2022, i nuovi edifici di ricerca del Fraunhofer IAF sono stati ufficialmente inaugurati. © Fraunhofer IAF
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  • Scienza

Nuovi edifici per la tecnologia di misurazione optoelettronica, sensori quantistici ed epitassia

Fraunhofer IAF amplia l'infrastruttura di ricerca per le tecnologie dei semiconduttori

Il Fraunhofer IAF ha ampliato la sua infrastruttura di ricerca all'avanguardia e migliorato ulteriormente le condizioni per lo sviluppo di tecnologie dei semiconduttori innovative e sostenibili. Con il supporto del governo federale, dello stato del Baden-Württemberg e del BMVg sono stati costruiti…
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