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  • Traducido con IA

Superficies con fuentes de plasma flexibles y manejables activadas

El FBH presenta en SEMICON Europa una fuente de plasma atmosférico compacta en funcionamiento y otros desarrollos en electrónica de III/V.

Fuente de plasma compacta y atmosférica en la banda ISM de 2,45 GHz, adecuada, por ejemplo, para activación de superficies o aplicaciones médicas. (© FBH/D. Wolf) / Fuente de plasma compacta y atmosférica en la banda ISM de 2,45 GHz, adecuada, por ejemplo, para activación de superficies o aplicaciones médicas. (© FBH/D. Wolf)
Fuente de plasma compacta y atmosférica en la banda ISM de 2,45 GHz, adecuada, por ejemplo, para activación de superficies o aplicaciones médicas. (© FBH/D. Wolf) / Fuente de plasma compacta y atmosférica en la banda ISM de 2,45 GHz, adecuada, por ejemplo, para activación de superficies o aplicaciones médicas. (© FBH/D. Wolf)
Fuente de luz pulsada compacta que proporciona pulsos flexibles en el rango de picosegundos y nanosegundos con energías en el rango de nanojulios. (© FBH/P. Immerz) / Fuente de luz pulsada compacta que ofrece pulsos flexibles en el rango de picosegundos y nanosegundos con energías en el rango de nanojulios. (© FBH/P. Immerz)
Fuente de luz pulsada compacta que proporciona pulsos flexibles en el rango de picosegundos y nanosegundos con energías en el rango de nanojulios. (© FBH/P. Immerz) / Fuente de luz pulsada compacta que ofrece pulsos flexibles en el rango de picosegundos y nanosegundos con energías en el rango de nanojulios. (© FBH/P. Immerz)

En la feria especializada SEMICON Europa en Múnich, el Instituto Ferdinand-Braun, Instituto Leibniz para la Tecnología de Frecuencia Muy Alta (FBH), presenta del 13 al 16 de noviembre de 2018 las novedades y desarrollos más recientes. El instituto se presenta en el stand conjunto de la »Fábrica de Investigación en Microelectrónica Alemania« en el Hall A4, stand 504.

En el stand, el FBH muestra, entre otras cosas, una fuente de plasma atmosférico compacta, que es adecuada, por ejemplo, para el tratamiento de superficies y para la integración en máquinas de producción o proceso. En el lugar, se activan superficies de prueba ejemplares para prepararlas, por ejemplo, para imprimir o recubrir. La fuente, que opera en la banda ISM de 2,45 GHz, consiste en un oscilador de potencia de microondas, un resonador para la excitación del plasma y la electrónica de control, que están integrados en una carcasa compacta. La alimentación del medio de plasma (aire, oxígeno, argón, ...) y del medio de enfriamiento se realiza de manera flexible, de modo que la fuente puede integrarse tanto manualmente (por ejemplo, en medicina) como en máquinas de producción o proceso (por ejemplo, en la industria del impresión, en equipos de recubrimiento). La fuente de plasma alcanza una potencia de alrededor de 20 W, suficiente para muchas aplicaciones.

En el stand también se puede ver una fuente de pulso todo en uno (PLS), que combina dos competencias principales del FBH: láseres de diodo a medida para la generación de pulsos en conexión con componentes de alta velocidad optimizados para el control. La PLS proporciona pulsos de alta precisión en el rango de picosegundos y nanosegundos con energías en nanojulios. La energía, duración, intervalo de pulsos y frecuencias de repetición se pueden ajustar de manera flexible. El sistema láser ofrece frecuencias de repetición seleccionables desde Hertz hasta megahercios y picos de potencia de hasta 50 vatios. El sistema todo en uno puede cambiarse mediante control por ordenador en varios modos de pulso y se puede integrar fácilmente en diversos sistemas láser.

Además, el FBH presenta un demostrador de una cabeza de prueba diferencial potencialmente libre para medir corrientes altas. Con este adaptador de medición para osciloscopios, se pueden medir señales eléctricas diferenciales en el rango de frecuencia de DC hasta más de 1 GHz de manera galvanicamente aislada, incluso en presencia de superposiciones por una alta tensión de modo común. Como otra exposición, se muestran chips heterointegrados para aplicaciones en terahercios, que combinan las ventajas de dos mundos tecnológicos en el nivel del chip: las altas potencias de salida del indiofosfuro con la complejidad de la tecnología de silicio.


Más información


Ferdinand-Braun-Institut gGmbH
12489 Berlin
Alemania


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