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Todas las publicaciones de la rúbrica Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

Nuevos PDKs de interconexión avanzados allanan el camino para una integración chip a chip de alta densidad y eficiencia energética.

NanoIC abre el acceso a los primeros PDKs para conexiones de unión híbrida Fine-Pitch-RDL y D2W

El 02 de marzo de 2026, la línea piloto NanoIC, una iniciativa europea coordinada por imec para acelerar innovaciones en tecnologías de chips más allá de 2 nm, publicó dos kits de diseño de procesos (PDKs) únicos y avanzados para tecnologías de interconexión: un PDK para capas de redistribu…

El filtro de polarización ha sido desarrollado por Steinmeyer específicamente para la litografía DUV. (Derechos de autor: stock.adobe.com/IM Imagery, número 560372105) A una altura de apenas 15 mm se encuentran tres filtros planos que se desplazan en la trayectoria del haz de la instalación óptica y que pueden posicionarse de forma independiente entre sí. (Derechos de autor: Steinmeyer Gruppe) Solución de posicionamiento ultracompacta y de alta precisión para la exposición de obleas en atmósfera de nitrógeno seca y libre de oxígeno. (Derechos de autor: Imagen: Steinmeyer Gruppe) La combinación de acero inoxidable no oxidante (husillo) y el plástico de alto rendimiento PEEK (tuerca) permite una movilidad óptima, disipación de calor y estabilidad mecánica en nitrógeno ultra seco. (Derechos de autor: Feinmess Suhl GmbH) La transmisión de tornillo de avance tiene un diámetro de husillo de 3 mm y una longitud de husillo de 112 mm, y por ello se encuentra entre las más pequeñas en el mercado en esta precisión. (Derechos de autor: Steinmeyer Gruppe)
  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

Solución de posicionamiento ultracompacta y de alta precisión para la litografía DUV

Desde el husillo hasta el conjunto de construcción

Cuando se trata de soluciones de posicionamiento altamente especializadas y personalizadas para clientes, Steinmeyer no tiene competencia. Incluso en la industria de semiconductores, la ubicación de Dresde en el "Silicon Saxony" ya es considerada un eldorado para lo que parece imposible, ya que los…

De izquierda a derecha: Patrick Vandenameele (CEO electo de imec), Thomas Skordas (Comisario Europeo), Luc Van den hove (CEO de imec), Henna Virkkunen (Comisaria Europea), Matthias Diependaele (Diputado en Flandes), Jari Kinaret (Director Ejecutivo de Chips JU), Christophe Fouquet (CEO de ASML).
  • Nueva construcción

Imec celebra la inauguración oficial de la segunda fase de la línea de producción de NanoIC en Europa con una ampliación de 2.000 m² de sala limpia en su campus de Lovaina.

Imec pesa NanoIC-Pilotlinie y así impulsa innovaciones en el campo de la tecnología de sistemas en chip de menos de 2 nm

Equipado con las herramientas más modernas, incluido el equipo EUV de alta NA de ASML, la sala limpia de Imec es un pilar fundamental de la iniciativa NanoIC, que se dedica al desarrollo de tecnología de chips por debajo de 2 nm. Exactamente cuatro años después de que la presidenta de la UE, Von…

Representación esquemática de un microláser con una rejilla superficial estructurada con precisión nanométrica. El láser semiconductor compacto genera un haz de luz dirigido con un perfil de haz ajustado exactamente a la aplicación correspondiente. A través del grosor de las vigas en la rejilla de rayas, sus distancias y la profundidad de las ranuras, se puede ajustar la longitud de onda de los haces láser. Debajo de la rejilla de rayas se ven los pocos espejos de Bragg por encima de la capa activa (gris claro), donde se genera la radiación. Debajo hay muchas capas de capas reflectoras de Bragg. (Imagen con microscopio electrónico) Estructura esquemática de la nueva microláser con la capa inferior de pares de espejos de Bragg (DBR), la capa activa en rojo, las pocas capas de pares de espejos de Bragg por encima (DBR) y la rejilla de líneas (MHCG).
  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

La transferencia de datos, la conducción autónoma y la computación basada en luz podrían beneficiarse

Nuevo microláser para aplicaciones e investigación

Un concepto innovador de microláser basado en los llamados emisores de superficie (VCSEL) ha sido desarrollado por el departamento de "Optoelectrónica y componentes cuánticos" de la TU Berlín bajo la dirección del Prof. Dr. Stephan Reitzenstein. Los nuevos microláseres son diodos láser constr…

Representación en 3D de la estructura del dispositivo A14 que muestra las 4 nanosheets apiladas con su enrutamiento local y el contacto metálico en la parte trasera. / 3D representation of the A14 device structure showing the 4 stacked nanosheets with its local routing and back side metal contact. Una matriz de celdas IGZO 4x4 2T0C, en la que los transistores de lectura/escritura (RTX/WTX) se encuentran en los niveles superior/inferior y cuentan con las conexiones correspondientes. / Una matriz de celdas IGZO 4x4 2T0C donde los transistores de lectura/escritura (RTX/WTX) están en los niveles superior/inferior con las conexiones correspondientes.
  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

La introducción de los nuevos kits de diseño de proceso (PDKs) para A14 y DRAM integrados impulsa la investigación y la innovación en la aceleración de la lógica y el almacenamiento.

NanoIC completa su cartera de PDK con su primer PDK de lógica A14 y memoria eDRAM

El 02 de febrero de 2026, la línea piloto NanoIC, una iniciativa europea coordinada por imec para acelerar la innovación en tecnologías de chips con estructuras menores a 2 nm, anunció la publicación de dos nuevos kits de diseño de procesos (PDKs): un PDK de búsqueda de caminos A14 para la es…

Fotos del sistema de óxido Veeco de 300 mm para MBE híbrido BTO en epitaxia de silicio. Imagen de la sección transversal obtenida mediante microscopía electrónica de transmisión de la heteroestructura BaTiO3/SrTiO3/Si(001) con ampliaciones mediante microscopía de alta resolución y microscopía de fuerza atómica en el recuadro.
  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

Solución única para la epitaxia de titanato de bario en silicio para acelerar aplicaciones de datacom y computación cuántica

Veeco e imec desarrollan un proceso compatible con 300 mm para facilitar la integración de titanato de bario en la fotónica de silicio

Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) y imec anunciaron que han desarrollado conjuntamente un proceso de 300 mm adecuado para la producción en masa, que permite la integración de Bario titanato (BaTiO3 o BTO) en una plataforma de fotónica de silicio. BTO es un material prometedor con propiedades…

Gracias a una tecnología de seguridad avanzada, los robots móviles y los empleados se mueven de manera segura y eficiente junto en áreas estrechas de salas limpias. (Fuente: Fabmatics GmbH, Fotógrafo: Sven Claus (FotograFisch)) El HERO móvil Fab 200 posiciona un portador de obleas con precisión milimétrica en un estante de sala limpia, un ejemplo de manejo de materiales confiable en fábricas de 200 mm consolidadas. (Fuente: Fabmatics GmbH, Fotógrafo: Sven Claus (FotograFisch)) El panel de carga Wiferion está integrado en la losa del suelo del sala limpia, para una carga sin contacto, sin generación de partículas y una instalación mínimamente invasiva. (Fuente: Fabmatics GmbH, Fotógrafo: Sven Claus (FotograFisch)) Carga en proceso: El robot móvil recibe energía a través de un panel de carga frente a la estación de manipulación y continúa trabajando sin pausas de carga separadas. (Fuente: Fabmatics GmbH, Fotógrafo: Sven Claus (FotograFisch))
  • Automatización

La forma más limpia de cargar: Wiferion impulsa la industria de semiconductores

La carga inductiva hace que la automatización de salas limpias sea libre de mantenimiento y segura gracias a Fabmatics

La demanda mundial de electrónica de potencia y chips para aplicaciones en los ámbitos automotriz, de comunicación e industrial crece sin freno. Sin embargo, muchas de las plantas de producción provienen de otra época: fábricas de obleas de 200 mm, que surgieron en los años 90 y 2000, todaví…

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