Dit baanbrekende resultaat effent de weg voor de toetreding van GaN tot het SiC-hoofdstroomgebied
Imec en AIXTRON presenteren 200-mm-GaN-epitaxie op AIX G5+ C voor 1200-V-toepassingen met een doorbraak bij meer dan 1800 V
Imec, een wereldwijd toonaangevend onderzoeks- en innovatiecentrum voor nano-elektronica en digitale technologieën, en AIXTRON, de toonaangevende leverancier van coatingapparatuur voor compound halfgeleider-materialen, hebben de epitaxiale groei van Galliumnitrid (GaN)-pufferschichten geïntroduceerd…
