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All publications for the rubric Electronics (wafers, semiconductors, microchips,...)

Arbeit im 200-mm-Reinraum am Fraunhofer IPMS. © Fraunhofer IPMS Feierliche Übergabe des symbolischen Schecks über 38 Millionen Euro vom Ministerpräsident Michael Kretschmer an die sächsischen Mikroelektronik-Institute der Fraunhofer-Gesellschaft (v.l.n.r. Prof. Dr. Harald Kuhn [Fraunhofer ENAS], Prof. Dr. Martin Schneider-Ramelow [Fraunhofer IZM], Prof. Dr. Harald Schenk [Fraunhofer IPMS], Ministerpräsident Michael Kretschmer, Dr. Stephan Guttowski [Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland], Prof. Dr. Peter Schneider [Fraunhofer IIS, Institutsteil Entwicklung Adaptiver Systeme], Dr. Oliver Höing [Bundesministerium für Bildung und Forschung BMBF]) © Fraunhofer IPMS Entwurf von Chiplet-basierten Systemen im Baukasten-Prinzip. © Fraunhofer IPMS
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Sachsen fördert Mikroelektronik-Forschung im Rahmen des EU Chips Act mit 38 Millionen Euro

Stärkung der sächsischen Mikroelektronik-Forschung für Chiplet-Innovationen im Rahmen der APECS-Pilotlinie

Die sächsischen Mikroelektronik-Institute der Fraunhofer-Gesellschaft erweitern ihre technologischen Kapazitäten im Bereich der Chiplet-Innovation und tragen maßgeblich zur APECS-Pilotlinie im Rahmen des European Chips Act bei. Das Land Sachsen investiert dazu 38 Millionen Euro in die Förderung…

Ein 300 mm Siliziumwafer mit Tausenden von GaAs-Bauelementen mit einer Nahaufnahme mehrerer Dies und eine Rasterelektronenmikroskop-Aufnahme einer Nano-Ridge-Anordnung aus GaAs nach der Epitaxie. / A 300 mm silicon wafer containing thousands of GaAs devices with a close-up of multiple dies and a scanning electron micrograph of a GaAs nano-ridge array after epitaxy. Ein 300 mm Siliziumwafer mit Tausenden von GaAs-Bauelementen mit einer Nahaufnahme mehrerer Dies und eine Rasterelektronenmikroskop-Aufnahme einer Nano-Ridge-Anordnung aus GaAs nach der Epitaxie. / A 300 mm silicon wafer containing thousands of GaAs devices with a close-up of multiple dies and a scanning electron micrograph of a GaAs nano-ridge array after epitaxy.
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Imec achieves breakthrough in silicon photonics, paving the way for cost-effective and high-performance optical devices.

First full wafer-scale fabrication of electrically-pumped GaAs-based nano-ridge lasers on 300 mm silicon wafers

Imec, a world-leading research and innovation hub in nanoelectronics and digital technologies, has announced a significant milestone in silicon photonics with the successful demonstration of electrically-driven GaAs-based multi-quantum-well nano-ridge laser diodes fully, monolithically fabricated on…

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