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4-Zoll-GaN-auf-SiC-Wafer der GaN07-Technologie des Fraunhofer IAF. Die Wafer werden vollständig in der hauseigenen Halbleiterlinie hergestellt und getestet ¬ einschließlich Design, Epitaxie, Waferverarbeitung und Charakterisierung. © Fraunhofer IAF / Frontside processed 4-inch GaN-on SiC wafer of Fraunhofer IAF´s GaN07 technology. The wafers are completely fabricated and tested in Fraunhofer IAF´s III-V process line including design and fabrication of processing mask sets, epitaxy, wafer processing and characterization. © Fraunhofer IAF
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EuMW 2025: Fraunhofer IAF stellt 70-nm-GaN-Transistor für High-Throughput-Satelliten vor

Halbleiter-Technologie für Breitband-Satellitenkommunikation erreicht Rekord-Effizienz

Forschende des Fraunhofer IAF haben eine GaN-Transistor-Technologie mit 70 nm Gatelänge entwickelt, die unter satellitentypischen Bedingungen Rekordwerte hinsichtlich der Effizienz erreicht. Die Technologie soll zukünftig kompakte Aktivantennen für hochbitratige Datentransfers im Ka-, Q- und W-Ba…

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