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  • Kongress

Zwei Tage geballtes Expertenwissen, aktuelle Marktentwicklungen und praxisnahe Anwendungen: Der European Heat Pump Summit 2025 bringt internationale Fachleute zusammen.

Innovationen, Marktentwicklungen und Anwendungen im Fokus

Zwei Tage hochkarätiges Fachwissen – das erwartet Teilnehmer des European Heat Pump Summit am 28. und 29. Oktober in Nürnberg. Der zweitägige Kongress bietet ein geballtes Experten-Programm mit aktuellen Entwicklungen rund um Wärmepumpentechnologien, Marktentwicklungen und Anwendungen – und…

Seitenkanalverdichter sind unverzichtbare Komponenten in einer Vielzahl von Industrien, die eine zuverlässige Luftförderung oder Vakuumerzeugung erfordern. Dank ihrer robusten Bauweise, energieeffizienten Motoren und wartungsfreien Betriebsweise bieten sie eine langlebige und kosteneffiziente Lösung für anspruchsvolle Anwendungen. (Copyright: SKVTechnik)
  • Luft

In pharmazeutischen Anwendungen sichern Seitenkanalverdichter eine stabile, ölfreie Luftversorgung. Ihre vibrationsfreie Arbeitsweise erfüllt höchste Reinraumanforderungen und unterstützt kritische Prozesse effizient und sicher.

Reine Luftströme und kontrollierte Prozesse für pharmazeutische Produktionsumgebungen

Die pharmazeutische Industrie stellt besonders hohe Anforderungen an Prozessluftsysteme: maximale Reinheit, absolute Betriebssicherheit und präzise Steuerbarkeit. Seitenkanalverdichter sind hier die erste Wahl für Anwendungen, bei denen konstante Druck- oder Saugleistungen in hygienisch sensiblen…

4-Zoll-GaN-auf-SiC-Wafer der GaN07-Technologie des Fraunhofer IAF. Die Wafer werden vollständig in der hauseigenen Halbleiterlinie hergestellt und getestet ¬ einschließlich Design, Epitaxie, Waferverarbeitung und Charakterisierung. © Fraunhofer IAF / Frontside processed 4-inch GaN-on SiC wafer of Fraunhofer IAF´s GaN07 technology. The wafers are completely fabricated and tested in Fraunhofer IAF´s III-V process line including design and fabrication of processing mask sets, epitaxy, wafer processing and characterization. © Fraunhofer IAF
  • Know How, Institut

EuMW 2025: Fraunhofer IAF stellt 70-nm-GaN-Transistor für High-Throughput-Satelliten vor

Halbleiter-Technologie für Breitband-Satellitenkommunikation erreicht Rekord-Effizienz

Forschende des Fraunhofer IAF haben eine GaN-Transistor-Technologie mit 70 nm Gatelänge entwickelt, die unter satellitentypischen Bedingungen Rekordwerte hinsichtlich der Effizienz erreicht. Die Technologie soll zukünftig kompakte Aktivantennen für hochbitratige Datentransfers im Ka-, Q- und W-Ba…

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