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Alle Veröffentlichungen von IMEC Belgium

Vertikaler Pufferleckstrom in Durchlassrichtung, gemessen an 1200V GaN-on-QST® bei zwei verschiedenen Temperaturen: (links) 25°C und (rechts) 150°C. Der 1200V-Puffer von Imec zeigt einen vertikalen Leckstrom unter 1µA/mm2 bei 25°C und unter 10µA/mm2 bei 150°C bis zu 1200V mit einem Durchbruch von über 1800V sowohl bei 25°C als auch bei 150°C, was ihn für die Verarbeitung von 1200V-Bauteilen geeignet macht. / Vertical forward buffer leakage current measured on 1200V GaN-on-QST® at two different temperatures: (left) 25°C and (right) 150°C. Imec’s 1200V buffer shows vertical leakage current below 1µA/mm2 at 25°C and below 10µA/mm2 at 150°C up to 1200V with a breakdown in excess of 1800V both at 25°C and 150°C, which makes it suitable for the processing of 1200V devices.

Dieses bahnbrechende Ergebnis ebnet den Weg für den Eintritt von GaN in den SiC-Hochspannungsbereich

Imec und AIXTRON präsentieren 200-mm-GaN-Epitaxie auf AIX G5+ C für 1200-V-Anwendungen mit einem Breakdown bei über 1800 V

Imec, ein weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, und AIXTRON, der führende Anbieter von Beschichtungsanlagen für Verbindungshalbleiter-Materialien, haben das epitaktische Wachstum von Galliumnitrid (GaN)-Pufferschichten vorgestellt, di…
The Neuropixels 2.0 probe (bottom) is smaller than the first generation (top) and can monitor neural activity over weeks.

Eine neue Generation winziger Aufzeichnungssonden kann dieselben Neuronen in winzigen Mäusehirnen über Wochen - ja sogar Monate - verfolgen.

Neueste Neuropixels Sonden können Neuronen für mehrere Wochen überwachen

Die neuen Tools bauen auf dem Erfolg der ursprünglichen Neuropixels-Sonden auf, die 2017 vorgestellt wurden und derzeit in mehr als 400 Laboren eingesetzt werden. Neuropixels 2.0 sind viel kleiner - etwa nur noch ein Drittel so groß wie der Vorgänger. Sie wurden entwickelt, um die elektrische Akt…
28nm Pitch Single-Exposure-Strukturierung mit dem MOx-Prozess von Inpria auf einem 0,33NA EUV-Vollfeldscanner nach Ru-Metallisierung. / 28nm pitch single-exposure patterning using Inpria’s MOx process on a 0.33NA EUV full field scanner after Ru metallization. 24nm Pitch-Linien/Abstände, erzielt auf einem 0,33NA NXE:3400B Vollfeldscanner, (links) nach dem Entwickeln und (rechts) nach dem Ätzen auf der kritischen Zielgröße (CD) (uLER = unbiased line-edge roughness). / 24nm pitch line/spaces obtained on a 0.33NA NXE:3400B full field scanner, (left) after developing and (right) after etching on target critical dimension (CD) (uLER = unbiased line-edge roughness). 28nm Kontaktlöcher, erzielt mit einem 0,33NA NXE:3400 Vollfeldscanner, nach dem Entwickeln. / 28nm contact holes obtained on a 0.33NA NXE:3400 full field scanner, after developing.

Nachgewiesene Korrelation zwischen morphologischen und elektrischen Daten auf 28-nm-Pitch-Linien/-Spaces erhöht das Verständnis der Auswirkungen stochastischer Defekte auf die Zuverlässigkeit/Ausbeute der Bauelemente

Imec treibt die Single-Exposure-Patterning-Fähigkeit von 0,33NA EUVL bis an ihre Grenzen

Diese Woche präsentieren imec, ein weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, und ASML, der weltweit führende Hersteller von Halbleiterlithografieanlagen, auf der SPIE Advanced Lithography Conference 2021 mehrere Vorträge, die die ultimat…

Collaboration zwischen Sarcura und imec zielt auf die Entwicklung einer auf Silizium-Photonik basierenden Zytometrielösung ab, die eine Prozesskontrolle und Manipulation von Zellen in Echtzeit ermöglicht.

SARCURA und imec arbeiten gemeinsam an einer Hochdurchsatz-Zytometrielösung für die automatisierte (T-)Zellseparation, um die Herausforderungen bei der Herstellung von Zell- und Gentherapien anzugehen

Die Sarcura GmbH, ein österreichisches Technologie-Startup im Anfangsstadium, gab heute die Zusammenarbeit mit imec, einem weltweit führenden Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, bekannt. Ziel ist die Entwicklung eines Siliziumchip-basierten Prototyps e…
SWIR-Bilder für 3 verschiedene Pixelabstände. Die Bilder mit der höchsten Auflösung konnten mit dem kleinsten (1,82 µm) Pixelabstand aufgenommen werden. / SWIR images for 3 different pixel pitches. Highest resolution images could be captured with the smallest (1.82 µm) pixel pitch. Der Dünnfilm-Photodetektor wurde monolithisch auf einer kundenspezifischen Si-CMOS-Ausleseschaltung integriert. (Bildnachweis: Imec) / The thin-film photodetector was monolithically integrated on a custom Si-CMOS readout circuit. (Source: Imec)

Die monolithische Integration des Dünnfilm-Photodetektors mit der CMOS-Ausleseschaltung bietet einen Weg zur Herstellung auf Wafer-Ebene mit hohem Durchsatz

Imec präsentiert Dünnschicht-Kurzwellen-Infrarot-Bildsensor mit Sub-2-µm-Pixelpitch

Imec, ein weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, präsentiert den Prototyp eines hochauflösenden Kurzwellen-Infrarot (SWIR)-Bildsensors mit rekordverdächtig kleinem Pixelabstand von 1,82 µm. Er basiert auf einem Dünnfilm-Photodetekto…

Der bahnbrechende Ansatz wird Viruspartikel in ausgeatmeter Luft für schnelle, einfache, bequeme und groß angelegte Tests verwenden

Imec beginnt mit der Entwicklung eines SARS-CoV-2-Tests, um positive Fälle zu identifizieren und in weniger als fünf Minuten zu bestätigen, ob jemand ansteckend ist

Imec, ein weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, gab bekannt, dass es mit der Entwicklung eines bahnbrechenden SARS-CoV-2-Tests begonnen hat. Im Gegensatz zu derzeitigen Ansätzen (mit Blut, Speichel oder einem Nasen-Rachen-Abstrich) wir…
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