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- Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)
Un nuovo approccio di integrazione da 300 mm per componenti basato su materiali 2D consente la realizzazione di n-FET e p-FET scalabili con un passo di contatto in polimero di 50 nm.
ASML, TSMC e imec rendono i transistor industrializzabili realizzati con materiali 2D più tangibili attraverso un'integrazione rivoluzionaria a 300 mm
– ASML, TSMC e imec presentano un innovativo processo di integrazione da 300 mm per transistor basati su materiali 2D, con il quale per la prima volta sono stati realizzati transistor n- e p-scalati con una distanza di contatto (CPP) di 50 nm, strutturati mediante litografia EUV.
– Sono stati ottenut…








