Correlazione dimostrata tra dati morfologici ed elettrici su linee/spazi a passo di 28 nm aumenta la comprensione degli effetti dei difetti stocastici sulla affidabilità / resa dei componenti
Imec spinge la capacità di patterning a esposizione singola di 0,33NA EUVL ai suoi limiti
Questa settimana imec, un centro di ricerca e innovazione leader a livello mondiale nel campo della nanoelettronica e delle tecnologie digitali, e ASML, il produttore mondiale di impianti di litografia a semiconduttori, presenteranno alla SPIE Advanced Lithography Conference 2021 diversi interventi…








