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Figura 1 – Immagini SEM dall'alto di meandri (a sinistra) e forchette (a destra) con passo di 20 nm dopo il trasferimento del modello in una maschera dura di TiN. Figura 2 – Immagine TEM di fili metallizzati con passo di 20 nm dopo un processo di levigatura chimico-meccanica (CMP).
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  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Primi test elettrici con passo di 20 nm rappresentano un altro traguardo nella convalida dell'ecosistema di patterning EUV (Extreme Ultraviolet) ad alta NA

Imec valuta la capacità di potenza elettrica di linee metalliche con un passo di 20 nm, realizzate con patterning singolo EUV ad alta NA

Questa settimana imec, un centro di ricerca e innovazione leader a livello mondiale nel campo della nanoelettronica e delle tecnologie digitali, presenta alla SPIE Advanced Lithography + Patterning i primi risultati dei test elettrici (e-test), ottenuti con strutture di conduttori metallici con un p…
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  • Fiera

ChemE Show – Powered by ACHEMA si terrà per la prima volta nel 2026 a Houston, Texas

DECHEMA e Gulf Energy Information lanciano l'evento statunitense dedicato alla tecnologia dei processi

La DECHEMA – organizzatrice della piattaforma più importante al mondo per l'industria dei processi, ACHEMA – e Gulf Energy Information organizzano nel 2026 per la prima volta insieme la ChemE Show – Powered by ACHEMA a Houston, Texas. La nuova manifestazione annuale si rivolge a esperti, decisori e…
Linea di produzione in ambiente sterile (Claudia Feith, Hahn-Schickard) (v. l. n. r.: Dr. Simon Thiele, CTO, Printoptix GmbH; Stefan Wagner, Gruppenleiter Präzisionswerkzeugbau + Kunststofftechnik, Hahn-Schickard; Dr. Karl-Peter Fritz, Institutsleiter Hahn-Schickard; Dr. Wolfgang Eberhardt, Bereichsleiter Technologie, Hahn-Schickard; Dr. Patrick Rapp, Staatssekretär Ministerium für Wirtschaft, Arbeit und Tourismus Baden-Württemberg; Jennifer Mazat, Referat 33 Automobil- und Produktionsindustrie, Logistik, Ministerium für Wirtschaft, Arbeit und Tourismus Baden-Württemberg; Prof. Dr. André Zimmermann, Institutsleiter Hahn-Schickard und IFM der Universität Stuttgart; Dr. Tobias Grözinger, PCB based AIT, Packaging (CR/APT3), Robert Bosch GmbH; Simon Petillon, Wissenschaftlicher Mitarbeiter Lasertechnik, Hahn-Schickard)
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  • Scienza

Oltre ai temi di ricerca, sono stati al centro della visita le sfide della ricerca applicata e la collaborazione con l'industria.

Segretario di Stato per l'economia Dr. Patrick Rapp visita l'Istituto Hahn-Schickard per la microtecnica a Stoccarda

I direttori dell'istituto Prof. Dr. André Zimmermann e Dr. Karl-Peter Fritz accolgono il Sottosegretario Dr. Patrick Rapp del Ministero dell'Economia, del Lavoro e del Turismo del Baden-Württemberg. Il Dr. Rapp si è incontrato con i ricercatori e i partner industriali dell'istituto per uno scambio s…
Campus aperto presso l'HS KL (Copyright: HSKL)
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  • Universit�

Presentazione delle offerte di studio e intrattenimento di qualità nelle sedi di Kaiserslautern, Pirmasens e Zweibrücken

Giornata del Campus Aperto dell'Università di Kaiserslautern il 5 aprile 2025

Tradizionalmente l'università (HS) di Kaiserslautern invita in primavera, in particolare gli interessati agli studi, ma naturalmente anche tutto il pubblico, alla Giornata del Campus Aperto. Quest'anno, sabato 5 aprile, dalle 10 alle 15, i tre campus di Kaiserslautern, Pirmasens e Zweibrücken presen…
Un tecnico nel cleanroom di Infineon Technologies a Villach, Austria, tiene un wafer di carburo di silicio da 200 mm. Un tecnico nel cleanroom di Infineon Technologies a Villach, Austria, tiene un wafer di carburo di silicio da 200 mm.
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  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Infineon raggiunge il prossimo traguardo sulla roadmap per il carburo di silicio (SiC) da 200 mm: inizio delle consegne ai clienti

– Infineon consegna i primi prodotti in carburo di silicio ai clienti, basati sulla tecnologia avanzata SiC da 200 millimetri
– I prodotti realizzati a Villach, in Austria, offrono tecnologia di potenza SiC di prima classe per applicazioni ad alta tensione
– Con la produzione di SiC da 200 mm, Infineo…
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