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Figura 1 – Imágenes SEM de arriba hacia abajo de meandros (izquierda) y horquillas (derecha) con un paso de 20 nm después de la transferencia del patrón a una máscara dura de TiN. / Figure 1 - Top-down SEM pictures of 20nm pitch meanders (left) and forks (right) after pattern transfer into TiN hard mask. Figura 2 – Imagen TEM de hilos metallizados con un paso de 20 nm después de un proceso de pulido químico-mecánico (CMP). / Figure 2 - TEM picture of metallized 20nm pitch wires after a chemical mechanical polishing (CMP) step.
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  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

Las primeras pruebas eléctricas con un paso de 20 nm representan otro hito en la validación del ecosistema de patrónización con luz ultravioleta extrema (EUV) de alta NA

Imec evalúa la capacidad de rendimiento eléctrico de las líneas metálicas con un paso de 20 nm, fabricadas mediante patrón único EUV de alta NA

Esta semana, imec, un centro de investigación e innovación líder mundial en nanoelectrónica y tecnologías digitales, presenta en SPIE Advanced Lithography + Patterning los primeros resultados de las pruebas eléctricas (e-test), obtenidos con estructuras conductoras metálicas con un paso de 20 nm, es…
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  • Feria

ChemE Show – Impulsada por ACHEMA se llevará a cabo por primera vez en Houston, Texas, en 2026

DECHEMA y Gulf Energy Information lanzan el evento líder en EE. UU. para la tecnología de procesos

La DECHEMA – organizadora de la plataforma más importante del mundo para la industria de procesos, ACHEMA – y Gulf Energy Information organizarán en 2026 por primera vez conjuntamente la ChemE Show – Powered by ACHEMA en Houston, Texas. El nuevo evento anual está dirigido a expertos, tomadores de de…
Línea de producción en sala limpia (Claudia Feith, Hahn-Schickard) (v. l. n. r.: Dr. Simon Thiele, CTO, Printoptix GmbH; Stefan Wagner, Gruppenleiter Präzisionswerkzeugbau + Kunststofftechnik, Hahn-Schickard; Dr. Karl-Peter Fritz, Institutsleiter Hahn-Schickard; Dr. Wolfgang Eberhardt, Bereichsleiter Technologie, Hahn-Schickard; Dr. Patrick Rapp, Secretario de Estado del Ministerio de Economía, Trabajo y Turismo de Baden-Württemberg; Jennifer Mazat, Departamento 33 Industria Automotriz y de Producción, Logística, Ministerio de Economía, Trabajo y Turismo de Baden-Württemberg; Prof. Dr. André Zimmermann, Director del Instituto Hahn-Schickard y del IFM de la Universidad de Stuttgart; Dr. Tobias Grözinger, PCB based AIT, Packaging (CR/APT3), Robert Bosch GmbH; Simon Petillon, Investigador en Tecnología Láser, Hahn-Schickard)
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  • Ciencia

Además de los temas de investigación, los desafíos de la investigación aplicada y la colaboración con la industria fueron el centro de la visita.

El Secretario de Estado de Economía, Dr. Patrick Rapp, visita el Instituto Hahn-Schickard para Tecnología de Microestructuras en Stuttgart

Los directores del instituto, Prof. Dr. André Zimmermann y Dr. Karl-Peter Fritz, saludan al Secretario de Estado Dr. Patrick Rapp del Ministerio de Economía, Trabajo y Turismo de Baden-Württemberg. El Dr. Rapp se reunió con investigadores y socios industriales del instituto para intercambiar ideas s…
Campus abierto en la HS KL (Derechos de autor: HSKL)
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  • Universidades

Presentación de las ofertas de estudio y mejor entretenimiento en los campus de Kaiserslautern, Pirmasens y Zweibrücken

Día de Puertas Abiertas de la Universidad de Kaiserslautern el 5 de abril de 2025

 Tradicionalmente, la Hochschule (HS) Kaiserslautern invita en primavera, especialmente a futuros estudiantes, pero por supuesto también a todo el público en general, a su Día del Campus Abierto. Este año, el sábado 5 de abril, de 10 a 15 horas, las tres sedes en Kaiserslautern, Pirmasens y Zweibrü…
Un técnico en la sala limpia de Infineon Technologies en Villach, Austria, sostiene una oblea de carburo de silicio de 200 mm. Un técnico en la sala limpia de Infineon Technologies en Villach, Austria, sostiene una oblea de carburo de silicio de 200 mm.
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  • Electrónica ( obleas, semiconductores, microchips,...)

Infineon alcanza el próximo hito en la hoja de ruta para carburo de silicio (SiC) de 200 mm: comienza la entrega de productos a los clientes

– Infineon entrega los primeros productos de carburo de silicio basados en la avanzada tecnología de 200 milímetros SiC a clientes
– Los productos fabricados en Villach, Austria, ofrecen tecnología de potencia SiC de primera clase para aplicaciones de alta tensión
– Con la producción de SiC de 200 m…
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