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Tutte le pubblicazioni per la rubrica Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Elevata domanda dal settore farmaceutico e dei semiconduttori porta all'espansione della rete di distribuzione cinese. (Copyright: LUM GmbH)
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LUM GmbH e Alpharmaca Inc. avviano una collaborazione a febbraio

Elevata domanda dal settore farmaceutico e dei semiconduttori porta all'espansione della rete di distribuzione cinese

Ad febbraio 2025, la LUM GmbH ha avviato una partnership strategica di distribuzione con l'azienda cinese Alpharmaca Inc., con sede a Shanghai, per rispondere alla forte domanda proveniente dal settore farmaceutico e dal settore dei semiconduttori, e per supportare i clienti con elevata competenza l…

Elementi di potenza su un wafer di carburo di silicio, prodotti nel cleanroom interno del Fraunhofer IISB. © Daniel Karmann / Fraunhofer IISB / Dispositivi di potenza su un wafer di carburo di silicio, lavorati nel cleanroom interno del Fraunhofer IISB. © Daniel Karmann / Fraunhofer IISB
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Fette chips e substrati robusti – tecnologie chiave per un'elettronica di potenza in carburo di silicio economicamente efficiente

Il carburo di silicio offre notevoli vantaggi tecnici per l'elettronica di potenza – uno svantaggio rimangono ancora i costi. Nel progetto di ricerca «ThinSiCPower», un consorzio di istituti Fraunhofer sviluppa tecnologie chiave per ridurre il consumo di materiale e lo spessore dei dispositivi, aume…

Figura 1 – Immagini SEM dall'alto di meandri (a sinistra) e forchette (a destra) con passo di 20 nm dopo il trasferimento del modello in una maschera dura di TiN. Figura 2 – Immagine TEM di fili metallizzati con passo di 20 nm dopo un processo di levigatura chimico-meccanica (CMP).
  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Primi test elettrici con passo di 20 nm rappresentano un altro traguardo nella convalida dell'ecosistema di patterning EUV (Extreme Ultraviolet) ad alta NA

Imec valuta la capacità di potenza elettrica di linee metalliche con un passo di 20 nm, realizzate con patterning singolo EUV ad alta NA

Questa settimana imec, un centro di ricerca e innovazione leader a livello mondiale nel campo della nanoelettronica e delle tecnologie digitali, presenta alla SPIE Advanced Lithography + Patterning i primi risultati dei test elettrici (e-test), ottenuti con strutture di conduttori metallici con un p…

Linea di produzione in ambiente sterile (Claudia Feith, Hahn-Schickard) (v. l. n. r.: Dr. Simon Thiele, CTO, Printoptix GmbH; Stefan Wagner, Gruppenleiter Präzisionswerkzeugbau + Kunststofftechnik, Hahn-Schickard; Dr. Karl-Peter Fritz, Institutsleiter Hahn-Schickard; Dr. Wolfgang Eberhardt, Bereichsleiter Technologie, Hahn-Schickard; Dr. Patrick Rapp, Staatssekretär Ministerium für Wirtschaft, Arbeit und Tourismus Baden-Württemberg; Jennifer Mazat, Referat 33 Automobil- und Produktionsindustrie, Logistik, Ministerium für Wirtschaft, Arbeit und Tourismus Baden-Württemberg; Prof. Dr. André Zimmermann, Institutsleiter Hahn-Schickard und IFM der Universität Stuttgart; Dr. Tobias Grözinger, PCB based AIT, Packaging (CR/APT3), Robert Bosch GmbH; Simon Petillon, Wissenschaftlicher Mitarbeiter Lasertechnik, Hahn-Schickard)
  • Scienza

Oltre ai temi di ricerca, sono stati al centro della visita le sfide della ricerca applicata e la collaborazione con l'industria.

Segretario di Stato per l'economia Dr. Patrick Rapp visita l'Istituto Hahn-Schickard per la microtecnica a Stoccarda

I direttori dell'istituto Prof. Dr. André Zimmermann e Dr. Karl-Peter Fritz accolgono il Sottosegretario Dr. Patrick Rapp del Ministero dell'Economia, del Lavoro e del Turismo del Baden-Württemberg. Il Dr. Rapp si è incontrato con i ricercatori e i partner industriali dell'istituto per uno scambio s…

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