-
- Elektronika (wafer, félvezető, mikrochipek,...)
Az új integrációs megközelítés önállóan irányított átmenő furatokat alkalmaz szilíciumon belül, szerkezeti szélessége kevesebb mint 100 nm, így lehetővé téve az elülső és hátsó oldal közötti kapcsolatokat, amelyek alacsony ellenállással, kis szivárgási áramokkal és jó egymásra helyezhetőséggel jellemezhetők.
A Sony és az imec bemutatnak egy magas sűrűségű modult a hátsó oldal csatlakoztatására, amely lehetővé teszi a következő generációs 3D-chippek integrációját
– A Sony és az imec bemutat egy újszerű modult a sűrűn elhelyezkedő, hátsó oldalról történő, 100 nm alatti áthidaló (TSV) vezetékek integrálására, amely egy önállóan igazított módszeren alapul a helyi dielektromos szigeteléshez a hátsó oldalon (helyi BDI).
– Az így kialakított front-to-back TSV-k ked…
