- Elektronika (wafer, félvezető, mikrochipek,...)
- MI-vel fordítva
Egyedi szilícium-chipek Szászországból az anyagtulajdonságok jellemzésére nyomtatott elektronika számára
Szubstrátum organikus mezőfeszültség-transzisztorokhoz (OFET) magas technológiai anyagok fejlesztéséhez
Milyen teljesítményűek az új anyagok? Egy anyagtulajdonságok változása vezet jobb vezetőképességhez? A Fraunhofer Fotonikai Mikroszisztémák Intézetében (IPMS) kifejlesztett és gyártott szilícium-alapú hordozók segítségével lehetőség nyílik az alapvető elektromos anyagtulajdonságok jellemzésére, például egy új típusú grafén-emulzió esetében. Egyedi tervezések lehetővé teszik mind szigetelő, mind vezető anyagok mérését.
A szerves félvezetők kulcsfontosságú komponensek a szerves elektronika és a fotovoltaika területén. Rugalmas elektronikus eszközök és nyomtatott napelemek gyártására használják őket. Jellemző ezekre az anyagokra az alacsony hőmérsékletű folyamatok, valamint a nagy felületi bevonás és szerkezetalkotás különböző bevonási és nyomtatási eljárásokkal. Az aktív félvezető anyagok jelentősen befolyásolják az egész rendszer teljesítményét. Ezért az egyszerűen kezelhető és megbízható elektronikus jellemzés, mint a vezetőképesség, töltéshordozó mobilitás, kontaktus ellenállás és az On-/Off-áram aránya, alapvető feltétele az anyag- és folyamatfejlesztők számára.
A Fraunhofer IPMS szilícium-alapú hordozókat fejleszt és gyárt, amelyekben egyedi tranzisztorstruktúrák találhatók alulról működő kapuszerkezetekkel, és amelyeket szerves mezőeffektus tranzisztorok (OFET-ek) gyártására vagy elektromos anyagtulajdonságok jellemzésére használnak, például a szerves fotovoltaikában.
Thomas Stoppe projektvezető így magyarázza: „Az F&E területén a mi hordozóink már nemzetközi kutatóintézeteknél is elterjedtek. Most szeretnénk egyre inkább a megrendelői igényekhez igazított megoldásokra fókuszálni, és folyamatosan fejlesztjük a technológiát, hogy még inkább kielégíthessük ipari partnereink igényeit. Különösen a szerves elektronika területén egy gyorsan növekvő piac létezik, és a mi hordozóink lehetővé teszik a vezető anyagok és félvezetők elektromos tulajdonságainak célzott, egyszerű és reprodukálható mérését.”
A legújabb eredmények, például egy kereskedelmi grafén-emulzió vizsgálata, bemutatják az anyagtulajdonságok jellemzésének lehetőségeit. Ezek az eredmények a 2024 májusában Cottbusban megrendezett iCampus-Cottbus Conference iCCC2024 konferencián kerülnek bemutatásra, majd a Journal of Sensors and Sensor Systems szaklapban lesznek publikálva.
Az általunk kifejlesztett chipeket már április 9. és 12. között bemutatják az „analytica” szakkiállításon Münchenben. Az érdeklődő felhasználók a Fraunhofer IPMS standján, az A3.407-es standnál lehetőségük lesz szakértőkkel beszélgetni. Ehhez előzetesen időpontokat lehet egyeztetni a Fraunhofer IPMS weboldalán.
A Fraunhofer IPMS hordozóinak előnyei
A Fraunhofer IPMS meglévő mikroszisztéma-technológiájának hozzáférése döntő előnyöket kínál, többek között a chipek rendkívül pontos és reprodukálható gyártását, valamint a technológia rugalmas alkalmazkodását a célalkalmazás egyedi igényeihez. Így különböző anyagkombinációk és ügyfél-specifikus elektróda-struktúrák vagy dielektrikum vastagságok is megvalósíthatók. Ez lehetővé teszi 28 nm-től 320 nm-ig terjedő rétegvastagságú magas minőségű kapuoxidok előállítását, amelyek rendkívül alacsony kapu-áram szivárgással, akár a pA tartományban, így rendkívül pontos mérésekhez vezetnek. A bevonási folyamat hatásainak vizsgálatához különböző orientációkban készülnek a tranzisztorstruktúrák.
A gyártás tisztatérben történik szilíciumlapkákon, amelyekre hőkezelt szilícium-dioxid (SiO2) van felvitt. Egy szabadalmaztatott indium-tin-oxid (ITO) réteg szolgál arany tapadási rétegként, ez növeli a megbízhatóságot, precizitást és reprodukálhatóságot, és lehetővé teszi ezen hordozók alkalmazását a minőségbiztosításban kis- és nagyvállalatok számára.
Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme IPMS
01109 Dresden
Németország








