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Todas las publicaciones de IMEC Belgium

Estructuración de exposición única a 28 nm de paso con el proceso MOx de Inpria en un escáner de campo completo EUV de NA 0,33 después de la metallización de Ru. / Patrocinado de exposición única a 28 nm de paso utilizando el proceso MOx de Inpria en un escáner de campo completo EUV de NA 0,33 después de la metallización de Ru. Paso de línea/espacios de 24 nm, obtenido en un escáner de campo completo NXE:3400B con NA de 0,33, (izquierda) después del desarrollo y (derecha) después del grabado en la dimensión crítica objetivo (CD) (uLER = rugosidad de borde de línea sin sesgo). Agujeros de contacto de 28 nm, obtenidos con un escáner de campo completo NXE:3400 de NA 0,33, después del revelado. / Contact holes of 28 nm obtained on a 0.33NA NXE:3400 full field scanner, after developing.

Correlación demostrada entre datos morfológicos y eléctricos en líneas/espacios de 28 nm, lo que aumenta la comprensión de los efectos de defectos estocásticos en la fiabilidad y el rendimiento de los componentes

Imec lleva la capacidad de patrón de exposición única de 0,33NA EUVL al límite

Esta semana, imec, un centro de investigación e innovación líder mundial en nanoelectrónica y tecnologías digitales, y ASML, el fabricante líder mundial de equipos de litografía de semiconductores, presentarán en la Conferencia SPIE Advanced Lithography 2021 varias ponencias que demuestran la capaci…

Colaboración entre Sarcura e imec dirigida al desarrollo de una solución citométrica basada en fotónica de silicio, que permite el control y la manipulación de procesos celulares en tiempo real.

SARCURA e imec trabajan conjuntamente en una solución de citometría de alto rendimiento para la separación automatizada de células (T), con el fin de abordar los desafíos en la fabricación de terapias celulares y génicas

La Sarcura GmbH, una startup tecnológica austriaca en sus primeras etapas, anunció hoy la colaboración con imec, un centro líder mundial en investigación e innovación en nanoelectrónica y tecnologías digitales. El objetivo es desarrollar un prototipo de un zytómetro basado en un chip de silicio para…
Representaciones esquemáticas (no a escala) de (izquierda) la configuración de Lloyd's Mirror para experimentos de cupón de interferencia EUV de alta NA y (derecha) cámara de interferencia para experimentos con obleas completas. / Representaciones esquemáticas (no a escala) de (izquierda) la configuración de Lloyd's Mirror para experimentos de cupón de interferencia EUV de alta NA y (derecha) cámara de interferencia para experimentos con obleas completas. Representaciones esquemáticas (no a escala) de (izquierda) la configuración de espejo de Lloyd para experimentos de cupón de interferencia EUV de alta NA y (derecha) cámara de interferencia para experimentos con obleas completas. (Enlaces) Imagen de SEM en sección transversal de un patrón L/S de 20 nm en un resist de óxido metálico Inpria, expuesto en un sistema de interferencia con espejo de Lloyd a una dosis de 64 mJ/cm2 y un ángulo de interferencia de 20°. (Derecha) Análisis de transformada de Fourier, donde 0,05 = 20 nm de separación. / (Izquierda) Imagen de SEM en sección transversal de un patrón L/S de 20 nm en un resist de óxido metálico Inpria, expuesto en un sistema de interferencia con espejo de Lloyd a una dosis de 64 mJ/cm2 y un ángulo de interferencia de 20°. (Derecha) Análisis de transformada de Fourier donde 0,05 = 20 nm de separación.

El resultado marca un hito importante de AttoLab de imec y KMLabs

Imec presenta imagen de resist de línea/espacio con paso de 20 nm mediante litografía de interferencia EUV de alta NA

Imec, un centro de investigación e innovación líder en todo el mundo en nanoelectrónica y tecnologías digitales, anuncia por primera vez el uso de una fuente de generador de armónicos altos de 13,5 nm para imprimir líneas/distancias con un paso de 20 nm mediante interferencia de litografía de un res…
Imágenes SWIR para 3 diferentes distancias entre píxeles. Las imágenes de mayor resolución se pudieron capturar con la menor distancia entre píxeles (1,82 µm). / Imágenes SWIR para 3 diferentes pasos de píxel. Las imágenes de mayor resolución pudieron capturarse con el paso de píxel más pequeño (1,82 µm). El fotodetector de película delgada fue integrado monolíticamente en un circuito de lectura Si-CMOS personalizado. (Fuente: Imec)

La integración monolítica del fotodetector de película delgada con el circuito de lectura CMOS ofrece una vía para la fabricación a nivel de oblea con alto rendimiento

Imec presenta sensor de imagen de infrarrojos de onda corta de capa delgada con píxel de menos de 2 µm de paso

Imec, un centro de investigación e innovación líder en el mundo en nanoelectrónica y tecnologías digitales, presenta el prototipo de un sensor de imagen de infrarrojo de onda corta (SWIR) de alta resolución con una distancia entre píxeles récord de 1,82 µm. Está basado en un fotodetector de película…

El enfoque innovador utilizará partículas virales en el aire exhalado para pruebas rápidas, sencillas, cómodas y de gran escala

Imec comienza el desarrollo de una prueba para el SARS-CoV-2, para identificar casos positivos y confirmar en menos de cinco minutos si alguien es contagioso

Imec, un centro de investigación e innovación líder en el mundo en nanoelectrónica y tecnologías digitales, anunció que ha comenzado a desarrollar una prueba revolucionaria para SARS-CoV-2. A diferencia de los enfoques actuales (con sangre, saliva o un hisopo nasal y faríngeo), la nueva prueba ident…
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