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Prozessquerschnitte der auf 200 mm GaN-auf-SOI-Substraten hergestellten Hochspannungsbauelemente (a) e-mode pGaN-HEMT, (b) d-mode MIS-HEMT, (c) Schottky-Barrier-Diode. Alle Bauelemente enthalten metallische Feldplatten, die auf Front-End- und Interconnect-Metallschichten basieren und durch dielektrische Schichten getrennt sind. / Process cross-sections of the high-voltage components fabricated on 200 mm GaN-on SOI substrates (a) e-mode pGaN-HEMT (b) d-mode MIS-HEMT, (c) Schottky barrier diode. All devices include metal field plates based on front-end and interconnect metal layers and separated by dielectric layers.
  • Wissenschaft

Die Integration sorgt für eine deutliche Leistungssteigerung von GaN-Leistungssystemen

Imec zeigt erfolgreiche monolithische Integration von Schottky-Dioden und Depletion-Mode-HEMTs mit 200 V GaN-IC

Diese Woche präsentiert imec, das führende Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, auf dem International Electron Devices Meeting 2021 (IEEE IEDM 2021) die erfolgreiche Co-Integration von Hochleistungs-Schottky-Barrier-Dioden und Depletion-Mode-HEMTs auf eine…

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