Neue Anlage für die GaN-auf-Si LED-Produktion
Die englische Plessey Semiconductors Ltd. hat eine produktionsfähige CRIUS II-XL MOCVD-Anlage in einer 7x6-Zoll-Konfiguration bestellt und weitere Anlagenkäufe des gleichen Typs angekündigt. Damit will Plessey GaN-LEDs auf Siliziumwafern entwickeln.
Ein Serviceteam von AIXTRON Ltd. wird die Anlage no…








