RENA Technologies erhält europäischen Auftrag für fortschrittliche Reinigungsanwendung für spezialisierte Halbleitersubstrate

Die RENA Technologies GmbH, ein langjähriger und erfahrener Hersteller von Nassprozesslösungen für die Halbleiter-, Advanced-Packaging- und Solarindustrie, hat von einem führenden europäischen Halbleiterhersteller einen Auftrag im Wert von mehreren Millionen Euro für eine spezialisierte Reinigungsanwendung für fortschrittliche Substrate erhalten.

Die Lösung basiert auf einer leistungsstarken Batch-Nassprozessplattform und wurde speziell für die ultrasaubere und hocheffiziente Bearbeitung anspruchsvoller Substrate entwickelt. Durch die Kombination aus fortschrittlicher Prozesskontrolle und skalierbarer Batch-Architektur gewährleistet das System eine hervorragende Prozessstabilität, Wiederholgenauigkeit und einen optimierten Durchsatz.

Die Entscheidung des Kunden unterstreicht die technologische Stärke und Wettbewerbsfähigkeit der Nassprozesslösungen von RENA. Insbesondere bei der Bearbeitung komplexer Substratmaterialien bietet die Anwendung erhebliche Vorteile in der Qualitätssicherung, Prozesskontrolle und der gesamten Produktionseffizienz. Die ausgereiften Reinraumkompetenzen, die exzellente Prozesskontrolle und die hochvolumigen Automatisierungslösungen von RENA ergeben zusammen die ideale Lösung für die Anforderungen des Kunden.

Mit diesem Auftrag stärkt RENA ihre Position im europäischen Halbleitermarkt weiter und bekräftigt ihr Engagement, wichtigen Akteuren der Branche innovative Lösungen mit lokalem Support bereitzustellen.

„Unser Erfolg bei der Sicherung dieses Projekts unterstreicht die wachsende Nachfrage nach fortschrittlichen Nassprozess-Technologien in Europa“, sagte Peter Schneidewind, CEO der RENA Technologies GmbH. „Mit mehr als 80 Anlagen zur Glasbehandlung im weltweiten Produktionseinsatz – darunter Anwendungen für Cutting Etch, TGV und Advanced Packaging – beweisen die anspruchsvollen technologischen Lösungen von RENA auch bei dieser neuen Anwendung für spezialisierte Halbleitersubstrate erneut ihre Leistungsfähigkeit.“