Nový rok, nová práce? Podívejte se na nabídky! více ...
Becker Berner International GmbH Pfennig Reinigungstechnik GmbH HJM
cleanroom online
Němčina Angličtina Francouzština Maďarština Polština Čeština Italština Španělština Nizozemština

Všechny publikace od IMEC Belgium

  • ‌
  • Elektronika (wafer, polovodiče, mikročipy,...)

IC-Link od imec rozšiřuje spolupráci s TSMC, aby zákazníkům umožnil rychlejší přístup k infrastruktuře a podpoře při návrhu čipů na základě nejnovějších technologií.

IC-Link od imec rozšiřuje spolupráci s TSMC

V rámci „OIP Cloud Alliance“ od TSMC tato spolupráce spojuje bezpečné, cloudové kapacity pro návrh s přístupem k pokročilé technologii uzlů a odbornou podporou, aby pomohla inovátorům urychlit uvedení čipů na trh.

1. IC-Link od imec a TSMC rozšiřují svou spolupráci v rámci platformy TSMC Open Innovat…
Obrázek 1: Ge/Si avalanche fotodioda, vyrobená na 300mm platformě silikonové fotoniky od imec
  • ‌
  • Elektronika (wafer, polovodiče, mikročipy,...)

Nový APD vyrobený na 300mm siliconové fotonické platformě od imec tvoří základ pro příští generaci optických spojů v AI datových centrech.

Imec představuje 100 GHz Ge/Si avalanche photodiodu (APD), která umožňuje čistou přenosovou rychlost 400 Gbit/s při pouhých 5 V

– Imec představilo nejrychlejší na světě GE/Si-avalanchovou fotodiodu (APD), která kombinuje šířku pásma 100 GHz, nízkonapěťový provoz (5 V) a citlivost 1,8 A/W jak v O, tak v C pásmu.
– Ve spojení s již představeným elektroabsorpčním modulátorem (EAM) na Ge/Si pro frekvence přesahující 110 GHz se tí…
Obrázek 1 – TDSEM a TEM snímek Josephsonova kontaktu z 2ML αSi-NbTiN Obrázek 2 – TEM snímek 3ML NbTiN drátů a průchozího kontaktu Obrázek 3 – Porovnání škálování drátů mezi NbTiN dráty vyrobenými v imec a špičkovými supraleitelnými dráty. TEM snímek 50 nm silného a 30 nm širokého NbTiN drátu (vloženo)
  • ‌
  • Elektronika (wafer, polovodiče, mikročipy,...)

Nový program v oblasti supraleitivé digitální techniky spojuje foundry, výrobce systémů a hyperscalery, aby vyhověl požadavkům odvětví v oblastech HPC příští generace, AI, kvantových výpočtů, fotoniky a neuromorficového výpočetnictví.

Imec posouvá vývoj škálovatelné technologie supravodičů s celosvětově prvními obvody z NbTiN a 30nm spojeními

– Na konferenci „Applied Superconductivity“ 2026 představí imec dvě světové novinky: (1) Josephsonův kontakt založený na niobu-titanu nitridu (NbTiN) s třemi kovovými vrstvami (3ML), který dosahuje hustoty obvodů 3,8 milionu přechodů na cm2; a (2) 3ML-NbTiN vedení s supravodivými dráty, jejichž šířk…
Obrázek 1. Reprezentativní snímky REM EUV waferů s NA 0,55, zobrazující strukturování CAR na logických kovových a průchodkových strukturách s úzkým rozestupem, včetně SRAM (AEI), PnR (AEI), Měděného testu Měděného testu (ADI) a 28nm C2C náhodných logických průchodkových spojů (ADI) (AEI = inspekce po leptání; ADI = inspekce po vývoji).
  • ‌
  • Elektronika (wafer, polovodiče, mikročipy,...)

Imec a jeho dodavatelé materiálů optimalizují své platformy založené na chemicky zesílených resistových materiálech (CAR) pro EUV individuální strukturování s vysokou numerickou clonou (NA) pro linové struktury s roztečí 22 nm, podporující logické návrhy A14/A10

Imec představuje další vývoj chemicky zesílených rezistů pro EUV litografii s vysokou numerickou clonou (NA)

– Imec optimalizuje technologii založenou na CAR pro metody single-patterning s vysokou NA v oblasti EUV při více vrstvách logických technologických uzlů A14/A10.
– Byly demonstrovány různé logické struktury s úzkými rozestupy u metalických vedení a průchodů, včetně meandrových a větvených E-testovýc…
Obrázek 1 – Schematické srovnání mezi (vlevo) tradičním přístupem „Via-Middle“ a (vpravo) přístupem „Local-BDI“-TSV za předpokladu výšky buňky 115 nm a tloušťky křemíku 500 nm. Obrázek 2 – Závislost řetězového odporu struktur TSV/MOL-Via na chybě překryvu při okně překryvu 30 nm. Plná černá čára představuje výsledky simulace; přerušované čáry označují odchylku ±5 %.
  • ‌
  • Elektronika (wafer, polovodiče, mikročipy,...)

Nový přístup k integraci využívá samořídící průchodky v křemíku s konstrukční šířkou menší než 100 nm, což umožňuje spojení z přední strany na zadní stranu, které se vyznačuje nízkým odporem, malými netěsnostmi a dobrou přesností překrytí.

Sony a imec představují vysoce hustý modul pro zadní spojení, který umožňuje integraci 3D čipů příští generace

– Sony a imec představují nový modul pro integraci hustých zadních průchodových spojů (TSV) menších než 100 nm, založený na samostatném procesu lokální dielektrické izolace na zadní straně (local BDI).
– Výsledné front-to-back TSV mají ve srovnání s TSV vyrobenými tradičním procesem Via-Middle TSV po…
Obrázek 1 – (A) X-řez HAADF rasterovou elektronovou mikroskopií prvku WS₂ s CPP 50 nm, délkou kontaktu 19 nm a šířkou 256 nm po leptání řady brány. A (B) odpovídající energie-dispersivní rentgenová spektroskopie (EDS). Obrázek 2 – MoS<sub>2</sub>-nFETy a WSe<sub>2</sub>-pFETy s kontaktní vzdáleností 50 nm a s uvolněnou šířkou kanálu (650 nm), integrované na stejném 300mm waferu, vykazují dobrou shodu prahového napětí.
  • ‌
  • Elektronika (wafer, polovodiče, mikročipy,...)

Nový přístup k integraci s délkou 300 nm pro prvky založené na 2D materiálech umožňuje škálované n- a p-FETy s kontaktním poly pitch 50 nm.

ASML, TSMC a imec přibližují průmyslově použitelnější tranzistory z 2D materiálů prostřednictvím průlomové integrace 300 mm

– ASML, TSMC a imec představují inovativní 300mm integrační proces pro tranzistory založené na 2D materiálech, s nímž bylo poprvé možné realizovat škálované n- a p-FETy s kontaktní vzdáleností (CPP) 50 nm, které byly strukturovány pomocí EUV litografie.
– U škálovaných nFETů (s MoS2 kanálem) a pFETů…
MIMCAP s vysokou hustotou v 300mm silikonové interposer MIMCAP s vysokou hustotou v 300mm siliconovém interposeru
  • ‌
  • Elektronika (wafer, polovodiče, mikročipy,...)

Imec umožňuje integraci III-V chipletů na Si-CMOS. umožňuje díky dalšímu rozvoji své platformy RF silikonových interposerů o velikosti 300 mm s vysoce hustými MIMCAPy, pasivní modelací a laserem podporovaným bondováním

– Imec dále rozvíjí svůj 300mm RF silikonový interposer jako jedinečnou platformu na systémové úrovni pro heterogenní integraci III-V čipletů na Si-CMOS – s cílem pokrýt aplikace v oblasti mmWave-/Sub-THz bezdrátových technologií a vysokorychlostních aplikací v datových centrech.
– Nová architektura…
Fungující pole Qubitů s rozestupy mezi plungerovými (P) a bariérovými (B) bránami přibližně 6 nanometrů, umožněné pomocí lithografie s vysokým NA EUV. Obrázek dále ukazuje akumulační (A) a uzavírací (C) brány.
  • ‌
  • Elektronika (wafer, polovodiče, mikročipy,...)

Nejmodernější systém litografie, který je klíčový pro budoucí vysoce výkonné paměti a počítačové čipy, bude hrát klíčovou roli ve vývoji kvantových technologií.

Celosvětově unikátní: imec představuje kvantový bodový qubitový modul, který byl vyroben pomocí lithografie s vysokým NA EUV

    1. Imec poprvé na světě představuje Quantenový bodový kvantový bit (qubit) komponentu, která byla vyrobena pomocí High-NA-EUV litografie.
2. Tato demonstrace je milníkem na cestě k průmyslovému škálování spolehlivějších qubitů, základních výpočetních jednotek kvantových počítačů. Kvantové počítače…
Obrázek 1 – (a) Schematické znázornění 3D-CCD struktury založené na třech řetězcích slov: spodní brána (BG), střední brána (CG) a horní brána (TG), přičemž zdroj (S) je dole a výstup (D) nahoře; (b) TEM průřezové snímky, které ukazují tři vrstvy brány s rozestupem řetězce slov 80 nm. Obrázek 2 – (a) Schéma řízení přes tři brány pro sériový přenos náboje v 3D-CCD paměti s třemi řádky slov; (b) Schematické znázornění provozu 3D-CCD, které ilustruje přenos elektronů tvorbou a posunem potenciálových jam pod bránami. Obrázek 3 – (a) I-f charakteristiky 7 součástek s různými průměry paměťových otvorů (MH), měřené až do 4 MHz; (b) počet elektronů přenesených za cyklus, určený ze sklonu příslušných I-f křivek.
  • ‌
  • Elektronika (wafer, polovodiče, mikročipy,...)

Proveditelnost integrace CCD čipu (Charge Coupled Device) do architektury podobné 3D NAND otevírá cestu k nákladově efektivní paměťovému řešení s vysokou hustotou bitů, které překoná hranici paměti při specifických pracovních zátěžích AI

Imec představuje první trojrozměrnou implementaci nabíjecího prvku pro AI úložné aplikace

– Imec představuje první 3D realizaci nabíjecího obrazového senzoru (CCD) s kanálem z indium-gallium-zink-oxid (IGZO), který nabízí potenciál pro aplikace v AI úložištích.
– Díky nákladově efektivní výrobě, vysoké hustotě bitů a vlastnosti blokové adresace je 3D-CCD čip slibný jako vyrovnávací paměť…
  • ‌
  • Elektronika (wafer, polovodiče, mikročipy,...)

Tento krok rozšiřuje celosvětovou odbornost v oblasti služeb ASIC a usiluje o realizaci nejnáročnějších projektů v odvětvích AI, HPC, mobilní komunikace a automobilového průmyslu.

IC-Link od imec se připojuje k Alliance TSMC 3DFabric® s cílem posunout inovace v oblasti pokročilých technologií balení a 3D-ICs

Imec, celosvětově přední výzkumné a inovační centrum pro pokročilé polovodičové technologie, oznámilo, že IC-Link by imec, poskytovatel návrhových a výrobních služeb od imec pro ASICy a silikonovou fotoniku, se připojil k Alliance TSMC Open Innovation Platform® (OIP) 3DFabric®. Jako součást ekosysté…
Pohled do NEWSLETTERU

Lépe informováni: S ROČENKOU, NEWSLETTEREM, NEWSFLASH, NEWSEXTRA a ADRESÁŘEM ODBORNÍKŮ

Buďte aktuální a přihlaste se k odběru našeho měsíčního e-mailového NEWSLETTERU a NEWSFLASH a NEWSEXTRA. Získejte další informace o dění ve světě čistých prostorů s naší tištěnou ROČENKOU. A zjistěte, kdo jsou odborníci na čisté prostory, v našem adresáři.

PMS Vaisala MT-Messtechnik Systec & Solutions GmbH