Nowy rok, nowa praca? Sprawdź oferty! Więcej ...
Buchta Becker HJM PMS
reinraum online
Niemiecki Angielski Francuski Węgierski Polski Czeski Włoski Hiszpański Niderlandzki

Wszystkie publikacje od IMEC Belgium

Pionowy prąd upływu bufora w kierunku przewodzenia, mierzony na 1200V GaN-on-QST® przy dwóch różnych temperaturach: (po lewej) 25°C i (po prawej) 150°C. Bufor 1200V od Imec wykazuje pionowy prąd upływu poniżej 1µA/mm² przy 25°C i poniżej 10µA/mm² przy 150°C do napięcia 1200V, z przebiciem powyżej 1800V zarówno przy 25°C, jak i 150°C, co czyni go odpowiednim do obróbki elementów o napięciu 1200V. / Vertical forward buffer leakage current measured on 1200V GaN-on-QST® at two different temperatures: (left) 25°C and (right) 150°C. Imec’s 1200V buffer shows vertical leakage current below 1µA/mm² at 25°C and below 10µA/mm² at 150°C up to 1200V with a breakdown in excess of 1800V both at 25°C and 150°C, which makes it suitable for the processing of 1200V devices.

Ten przełomowy wynik toruje drogę dla wejścia GaN w obszar wysokiego napięcia SiC

Imec i AIXTRON prezentują 200-mm epitaksję GaN na AIX G5+ C dla zastosowań 1200 V z przebiciem przy ponad 1800 V

Imec, weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, und AIXTRON, führender Anbieter von Beschichtungsanlagen für Verbindungshalbleitermaterialien, haben das epitaktische Wachstum von Galliumnitrid (GaN)-Pufferschichten vorgestellt, die für 1…
Wkładka Neuropixels 2.0 (na dole) jest mniejsza niż pierwszej generacji (na górze) i może monitorować aktywność neuronów przez tygodnie.

Nowa generacja małych sond rejestracyjnych może śledzić te same neurony w małych mózgach myszy przez tygodnie — a nawet miesiące.

Najnowsze sondy Neuropixels mogą monitorować neurony przez kilka tygodni

Nowe narzędzia opierają się na sukcesie pierwotnych sond Neuropixels, które zostały przedstawione w 2017 roku i są obecnie używane w ponad 400 laboratoriach. Neuropixels 2.0 są znacznie mniejsze — mają tylko około jedną trzecią rozmiaru poprzednika. Zostały opracowane, aby rejestrowa…
Strukturyzacja pojedynczego eksponowania z pitch'em 28 nm za pomocą procesu MOx firmy Inpria na skanerze EUV pełnego pola o NA 0,33 po metalizacji Ru. / 28nm pitch single-exposure patterning using Inpria’s MOx process on a 0.33NA EUV full field scanner after Ru metallization. 24nm rozstaw linii/odstępy, uzyskane na skanerze pełnego pola NXE:3400B o NA 0,33, (po lewej) po wywołaniu i (po prawej) po trawieniu na krytycznym wymiarze celu (CD) (uLER = nieobciążona chropowatość krawędzi linii). / 24nm rozstaw linii/przerw uzyskane na skanerze pełnego pola NXE:3400B o NA 0,33, (po lewej) po wywołaniu i (po prawej) po trawieniu na krytycznym wymiarze celu (CD) (uLER = nieobciążona chropowatość krawędzi linii). 28nm otwory kontaktowe, uzyskane na skanerze pełnofieldowym NXE:3400 o NA 0,33, po wywołaniu. / 28nm contact holes obtained on a 0.33NA NXE:3400 full field scanner, after developing.

Udowodniona korelacja między danymi morfologicznymi a elektrycznymi na liniach/przestrzeniach o rozstawie 28 nm zwiększa zrozumienie wpływu losowych defektów na niezawodność/wydajność elementów

Imec pchnie zdolność do pojedynczego wzoru ekspozycji EUVL o NA 0,33 aż do granic

W tym tygodniu imec, światowy lider w dziedzinie badań i innowacji w zakresie nanoelektroniki i technologii cyfrowych, oraz ASML, światowy lider w produkcji maszyn do litografii półprzewodnikowej, przedstawią na konferencji SPIE Advanced Lithography Conference 2021 kilka referatów, które dem…

Współpraca między Sarcura a imec ma na celu opracowanie rozwiązania cytometrycznego opartego na fotonice krzemowej, które umożliwia kontrolę procesu i manipulację komórkami w czasie rzeczywistym.

SARCURA i imec współpracują nad rozwiązaniem wysokoprzepustowym do cytometrii do automatycznego (T-)oddzielania komórek, aby sprostać wyzwaniom związanym z produkcją terapii komórkowych i genowych

Sarcura GmbH, austriacki startup technologiczny na wczesnym etapie rozwoju, ogłosiła dzisiaj współpracę z imec, światowym liderem w dziedzinie badań i innowacji w zakresie nanoelektroniki i technologii cyfrowych. Celem jest opracowanie prototypu z czujnika cytometrycznego opartego na chipie k…
Schematyczne przedstawienia (nie do miary) (po lewej) układu Lloyd'a Mirror do eksperymentów interferencyjnych EUV z wysoką NA oraz (po prawej) komory interferencyjnej do eksperymentów na pełnej wafli. / Schematyczne przedstawienia (nie do miary) (po lewej) układu Lloyd'a Mirror do eksperymentów interferencyjnych EUV z wysoką NA oraz (po prawej) komory interferencyjnej do eksperymentów na pełnej wafli. Schematyczne przedstawienia (nie do miary) (po lewej) układu Lloyd's Mirror do eksperymentów interferencyjnych z kuponami EUV o wysokiej NA oraz (po prawej) komory interferencyjnej do eksperymentów na pełnych waflach. / Schematyczne przedstawienia (nie do skali) (po lewej) układu Lloyd’s Mirror do eksperymentów interferencyjnych z kuponami EUV o wysokiej NA oraz (po prawej) komory interferencyjnej do eksperymentów na pełnych waflach. (Links) Querschnitts-SEM-Aufnahme eines 20-nm-L/S-Musters auf einem Inpria-Metalloxid-Resist, belichtet in einem Lloyd's-Spiegel-Interferenzaufbau bei einer Dosis von 64mJ/cm2 und einem Interferenzwinkel von 20°. (Rechts) Fourier-Transformationsanalyse, wobei 0,05=20nm Abstand. / (Left) Cross-section SEM image of a 20nm L/S pattern imaged on Inpria metal-oxide resist, exposed in a Lloyd’s mirror interference setup at a dose of 64mJ/cm2 and interference angle 20°. (Right) Fourier transform analysis where 0.05=20nm pitch.

Wynik oznacza ważny kamień milowy w AttoLab od imec i KMLabs

Imec prezentuje obrazowanie rezystu linii/przestrzeni o rozstawie 20 nm za pomocą interferencyjnej litografii EUV z wysoką wartością NA

Imec, wiodące na świecie centrum badawczo-innowacyjne w dziedzinie nanoelektroniki i technologii cyfrowych, po raz pierwszy zgłasza użycie źródła generatora wysokich harmonicznych o rozmiarze 13,5 nm do drukowania linii/odstępów z pitch 20 nm za pomocą interferencyjnej lithografii metalowo…
Obrazy SWIR dla 3 różnych odstępów pikseli. Obrazy o najwyższej rozdzielczości można było uzyskać przy najmniejszym (1,82 µm) odstępie pikseli. / Obrazy SWIR dla 3 różnych odstępów pikseli. Obrazy o najwyższej rozdzielczości można było uzyskać przy najmniejszym (1,82 µm) odstępie pikseli. Detektor fotonowy z cienkowarstwowym filmem został monolitycznie zintegrowany na niestandardowym układzie odczytowym Si-CMOS. (Źródło: Imec)

Monolithische Integration des Dünnfilm-Photodetektors mit der CMOS-Ausleseschaltung bietet einen Weg zur Herstellung auf Wafer-Ebene mit hohem Durchsatz

Imec prezentuje cienkowarstwowy obrazowy sensor podczerwieni o krótkofalowym zakresie z pikselem o rozstawie poniżej 2 µm

Imec, światowy lider w dziedzinie badań i innowacji w zakresie nanoelektroniki i technologii cyfrowych, prezentuje prototyp wysokorozdzielczego czujnika obrazu w podczerwieni krótkofalowej (SWIR) z rekordowo małym odstępem pikseli wynoszącym 1,82 µm. Opiera się on na cienkowarstwowym detekto…
Podgląd NEWSLETTERÓW

Lepsza informacja: ROCZNIK, NEWSLETTER, NEWSFLASH, NEWSEXTRA oraz KATALOG EKSPERTÓW

Bądź na bieżąco i subskrybuj nasz comiesięczny newsletter e-mail oraz NEWSFLASH i NEWSEXTRA. Dodatkowo dowiedz się z drukowanego ROCZNIKA, co dzieje się w świecie cleanroomów. A z naszego katalogu dowiesz się, kto jest EKSPERTEM w cleanroomie.

Pfennig Reinigungstechnik GmbH Piepenbrock Hydroflex MT-Messtechnik