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Ein 300 mm Siliziumwafer mit Tausenden von GaAs-Bauelementen mit einer Nahaufnahme mehrerer Dies und eine Rasterelektronenmikroskop-Aufnahme einer Nano-Ridge-Anordnung aus GaAs nach der Epitaxie. / A 300 mm silicon wafer containing thousands of GaAs devices with a close-up of multiple dies and a scanning electron micrograph of a GaAs nano-ridge array after epitaxy. Ein 300 mm Siliziumwafer mit Tausenden von GaAs-Bauelementen mit einer Nahaufnahme mehrerer Dies und eine Rasterelektronenmikroskop-Aufnahme einer Nano-Ridge-Anordnung aus GaAs nach der Epitaxie. / A 300 mm silicon wafer containing thousands of GaAs devices with a close-up of multiple dies and a scanning electron micrograph of a GaAs nano-ridge array after epitaxy.
  • Elektronik (Wafer, Halbleiter, Mikrochips,...)

Imec verzeichnet durchschlagenden Erfolg in der Siliziumphotonik und ebnet damit den Weg für kostengünstige und leistungsstarke optische Komponenten.

Erste komplette Fertigung von elektrisch gepumpten GaAs-basierten Nano-Ridge-Lasern auf 300-mm-Siliziumwafern im Wafer-Maßstab

Imec, ein weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, hat mit der erfolgreichen Demonstration elektrisch betriebener GaAs-basierter Multi-Quantum-Well-Nanoridge-Laserdioden, die vollständig monolithisch auf 300-mm-Siliziumwafern in seiner CM…

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