
-
- Know How, Institut
EuMW 2025: Fraunhofer IAF stellt 70-nm-GaN-Transistor für High-Throughput-Satelliten vor
Halbleiter-Technologie für Breitband-Satellitenkommunikation erreicht Rekord-Effizienz
Forschende des Fraunhofer IAF haben eine GaN-Transistor-Technologie mit 70 nm Gatelänge entwickelt, die unter satellitentypischen Bedingungen Rekordwerte hinsichtlich der Effizienz erreicht. Die Technologie soll zukünftig kompakte Aktivantennen für hochbitratige Datentransfers im Ka-, Q- und W-Ba…