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- Wissenschaft
Die Integration sorgt für eine deutliche Leistungssteigerung von GaN-Leistungssystemen
Imec zeigt erfolgreiche monolithische Integration von Schottky-Dioden und Depletion-Mode-HEMTs mit 200 V GaN-IC
Diese Woche präsentiert imec, das führende Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, auf dem International Electron Devices Meeting 2021 (IEEE IEDM 2021) die erfolgreiche Co-Integration von Hochleistungs-Schottky-Barrier-Dioden und Depletion-Mode-HEMTs auf e…