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Alle Veröffentlichungen zur Rubrik Elektronik (Wafer, Halbleiter, Mikrochips,...)

Für Spitzenforschung im Chipdesign entsteht auf dem Campus Süd das KIT Chipdesign House. (Foto: Edelweiss – Fotolia) / The KIT Chipdesign House to be established on KIT’s Campus South will boost cutting-edge chip design research. (Photo: Edelweiss – Fotolia)
  • Wissenschaft

Gründung des KIT Chipdesign House am KIT – Einrichtung soll Spitzenforschung Chipdesign in Baden-Württemberg stärken

KIT Chipdesign House soll europäische Produktion vorantreiben

Von Smartphones über Computer bis hin zu Autos: Fast alle modernen Technologien basieren auf leistungsstarken Mikrochips. Die Nachfrage übersteigt die Produktion in Deutschland dabei deutlich. Führende Halbleiterhersteller stammen vor allem aus Asien sowie Nordamerika und versorgen weltweit Produ…

Wafer im Labor bei Merck (Foto: Bernd Hartung)
  • Wissenschaft

Merck und Intel fördern akademische Forschung unter Beteiligung von elf wissenschaftlichen Institutionen aus sechs europäischen Ländern.

Merck und Intel fördern akademische Forschung in Europa für eine nachhaltigere Halbleiterfertigung

– Nach der Ankündigung des multidisziplinären Forschungsprogramms im vergangenen Jahr ist der Auswahlprozess der geförderten Projekte abgeschlossen
– Sechs Projekte unter Beteiligung von elf wissenschaftlichen Institutionen aus sechs europäischen Ländern werden von Merck und Intel unterstützt
– Im Fokus ste…

© Ines Escherich / Fraunhofer ENAS
  • Elektronik (Wafer, Halbleiter, Mikrochips,...)

Fraunhofer ENAS ist Partner im neuen europäischen Projekt »HaloFreeEtch« zur Erforschung innovativer halogenfreier Ätzprozesse

Mehr Nachhaltigkeit in der Halbleiterfertigung

Das Fraunhofer ENAS ist Teil des neuen und im September 2024 gestarteten Projektes »HaloFreeEtch« (»Neue Ansätze zum halogenfreien und nachhaltigen Ätzen von Silizium und Glas«). Das von der Technischen Universität Chemnitz koordinierte Projekt hat eine Laufzeit von 48 Monaten und wird von de…

Forschenden des Fraunhofer IAF ist es gelungen, AlYN/GaNHeterostrukturen in einem MOCVD-Reaktor auf 4-Zoll-SiCSubstraten zu wachsen. © Fraunhofer IAF / Researchers at Fraunhofer IAF have succeeded in growing AlYN/GaN heterostructures in a MOCVD reactor on 4-inch SiC substrates. © Fraunhofer IAF Die verschiedenen Farbnuancen der AlYN/GaN-Wafer resultieren aus unterschiedlichen Yttrium-Konzentrationen sowie Wachstumsbedingungen. © Fraunhofer IAF / The different color nuances of the AlYN/GaN wafers result from different yttrium concentrations and growth conditions. © Fraunhofer IAF Mit ihren Arbeiten zur Epitaxie und Charakterisierung von AlYN/GaN-Heterostrukturen gelang dem Forschungsteam des Fraunhofer IAF ein Durchbruch auf dem Gebiet der Halbleitermaterialien. © Fraunhofer IAF / With their work on the epitaxy and characterization of AlYN/GaN heterostructures, the Fraunhofer IAF research team achieved a breakthrough in the field of semiconductor materials. © Fraunhofer IAF
  • Elektronik (Wafer, Halbleiter, Mikrochips,...)

Meilenstein in der Halbleiterentwicklung

Neues Halbleitermaterial: AlYN verspricht energieeffizientere und leistungsfähigere Elektronik

Forschende des Fraunhofer IAF haben einen Durchbruch im Bereich der Halbleitermaterialien erzielt: Mit Aluminiumyttriumnitrid (AlYN) ist es ihnen gelungen, ein neues und vielversprechendes Halbleitermaterial mit dem MOCVD-Verfahren herzustellen und zu charakterisieren. Aufgrund seiner hervorragenden…

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