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  • ALLEGATO 1

Perché il monitoraggio continuo è un meccanismo di controllo del rischio, non un esercizio di campionamento

Cosa prescrive l'allegato 1 delle linee guida EU-GMP per il monitoraggio ambientale continuo?

Cos'è il monitoraggio ambientale continuo secondo l'Allegato 1 dell'UE GMP?

Secondo l'Allegato 1 dell'UE GMP, il monitoraggio continuo deve essere mantenuto per tutta la durata dei processi critici, posizionato in modo da evitare di disturbare la protezione dell'aria prima, utilizzando sistemi qualif…

Accoppiamento a membrana metallica KGH VA in acciaio inossidabile (Copyright: JAKOB Antriebstechnik GmbH)
  • Norme, parti di comando, valvole, connettori, ...

Resistente alla corrosione, facile da pulire e particolarmente igienico

Accoppiamenti a onde in acciaio inossidabile soddisfano i requisiti di igiene per l'industria farmaceutica

Accoppiamenti a onde in acciaio inossidabile vengono utilizzati nel settore alimentare, farmaceutico e medicale perché sono resistenti alla corrosione, facili da pulire e igienici. La superficie liscia e inossidabile previene l'accumulo di sporco e microrganismi e soddisfa elevati requisiti igienici…

Figura 1 – (A) Immagine di microscopia elettronica a scansione HAADF con taglio X di un elemento strutturale WS₂ con una distanza tra i contatti di 50 nm, una lunghezza di contatto di 19 nm e una larghezza di 256 nm dopo l'etching della linea di collegamento del gate. E (B) l'analisi corrispondente tramite spettroscopia a dispersione di energia (EDS). Figura 2 – MoS2-nFETs e WSe2-pFETs con una distanza di contatto di 50 nm e una larghezza del canale rilassata (650 nm), integrate sullo stesso wafer da 300 mm, mostrano una buona corrispondenza della tensione di soglia.
  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Un nuovo approccio di integrazione da 300 mm per componenti basato su materiali 2D consente la realizzazione di n-FET e p-FET scalabili con un passo di contatto in polimero di 50 nm.

ASML, TSMC e imec rendono i transistor industrializzabili realizzati con materiali 2D più tangibili attraverso un'integrazione rivoluzionaria a 300 mm

– ASML, TSMC e imec presentano un innovativo processo di integrazione da 300 mm per transistor basati su materiali 2D, con il quale per la prima volta sono stati realizzati transistor n- e p-scalati con una distanza di contatto (CPP) di 50 nm, strutturati mediante litografia EUV.
– Sono stati ottenut…

MIMCAP ad alta densità in un interposer in silicio da 300 mm MIMCAP ad alta densità in un interposer in silicio da 300 mm
  • Elettronica (wafer, semiconduttori, microchip,...)

Imec consente l'integrazione di III-V-chiplet su Si-CMOS. permette attraverso lo sviluppo della sua piattaforma di interposizione RF in silicio da 300 mm con MIMCAP ad alta densità, modellazione passiva e bonding assistito da laser

– Imec sta sviluppando il suo interposer in silicio RF da 300 mm in una piattaforma unica a livello di sistema per l'integrazione eterogene di chiplet III-V su Si-CMOS, con l'obiettivo di coprire applicazioni nel campo delle comunicazioni mmWave/sub-THz e applicazioni ad alta velocità nei data cente…

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