¿Año nuevo, trabajo nuevo? ¡Echa un vistazo a las ofertas! más ...
ClearClean Hydroflex Piepenbrock C-Tec

cleanroom online


Vera de 4 pulgadas de GaN sobre obleas de SiC de la tecnología GaN07 del Fraunhofer IAF. Las obleas se fabrican y prueban completamente en la línea de semiconductores interna de la institución, incluyendo diseño, epitaxia, procesamiento de obleas y caracterización. © Fraunhofer IAF / Oblea de 4 pulgadas de GaN sobre SiC procesada por la parte frontal de la tecnología GaN07 del Fraunhofer IAF. Las obleas se fabrican y prueban completamente en la línea de procesos III-V del Fraunhofer IAF, incluyendo el diseño y la fabricación de conjuntos de máscaras de procesamiento, epitaxia, procesamiento de obleas y caracterización. © Fraunhofer IAF
  • Conocimientos, Instituto

EuMW 2025: Fraunhofer IAF presenta transistor GaN de 70 nm para satélites de alto rendimiento

Tecnología de semiconductores para comunicaciones satelitales de banda ancha alcanza una eficiencia récord

Investigadores del Fraunhofer IAF han desarrollado una tecnología de transistores de GaN con una longitud de puerta de 70 nm, que alcanza valores récord en eficiencia bajo condiciones típicas de satélites. Se espera que esta tecnología permita en el futuro antenas activas compactas para transferenci…

Mejor informado: Con el ANUARIO, BOLETÍN, NEWSFLASH, NEWSEXTRA y el DIRECTORIO DE EXPERTOS

Manténgase al día y suscríbase a nuestro BOLETÍN mensual por correo electrónico y al NEWSFLASH y NEWSEXTRA. Obtenga más información sobre el mundo de las salas limpias con nuestro ANUARIO impreso. Y descubra quiénes son los expertos en salas limpias en nuestro directorio.

Vaisala MT-Messtechnik Systec & Solutions GmbH PMS