Correlación demostrada entre datos morfológicos y eléctricos en líneas/espacios de 28 nm, lo que aumenta la comprensión de los efectos de defectos estocásticos en la fiabilidad y el rendimiento de los componentes
Imec lleva la capacidad de patrón de exposición única de 0,33NA EUVL al límite
Esta semana, imec, un centro de investigación e innovación líder mundial en nanoelectrónica y tecnologías digitales, y ASML, el fabricante líder mundial de equipos de litografía de semiconductores, presentarán en la Conferencia SPIE Advanced Lithography 2021 varias ponencias que demuestran la capaci…








